摩托罗拉
半导体技术资料
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由BC636 / D
高电流晶体管
PNP硅
集热器
2
3
BASE
1
辐射源
BC636
BC638
BC640
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
BC
636
–45
–45
BC
638
–60
–60
–5.0
–0.5
625
5.0
1.5
12
- 55 〜+ 150
BC
640
–80
–80
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-04 ，风格14
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压*
（ IC = -10 MADC ， IB = 0 ）
V（ BR ） CEO
BC636
BC638
BC640
V（ BR ） CBO
BC636
BC638
BC640
V（ BR ） EBO
ICBO
—
—
—
—
–100
–10
NADC
μAdc
–45
–60
–80
–5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
VDC
–45
–60
–80
—
—
—
—
—
—
VDC
VDC
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -100
μAdc ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -10
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -30伏直流， IE = 0 ）
（ VCB = -30伏直流， IE = 0 ， TA = 125°C ）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
µs,
占空比2.0 ％ 。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
©
摩托罗拉公司1996年
1
MOTOROLA [ MOTOROLA, INC ]
