摩托罗拉
半导体技术资料
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通过BC856ALT1 / D
通用晶体管
BC856ALT1,BLT1
BC857ALT1,
集热器
3
PNP硅
1
BASE
BLT1,CLT1
BC858ALT1,BLT1,
CLT1
摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
BC856
–65
–80
–5.0
–100
BC857
–45
–50
–5.0
–100
BC858
–30
–30
–5.0
–100
2
辐射源
单位
V
V
V
MADC
CASE 318 - 08 ，类型6
SOT- 23 （ TO - 236AB ）
1
2
3
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
225
1.8
R
q
JA
PD
300
2.4
R
q
JA
TJ ， TSTG
417
- 55 〜+ 150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
器件标识
BC856ALT1 = 3A ; BC856BLT1 = 3B ; BC857ALT1 = 3E ; BC857BLT1 = 3F ;
BC857CLT1 = 3G ; BC858ALT1 = 3J ; BC858BLT1 = 3K ; BC858CLT1 = 3L
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -10毫安）
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -10
µA,
VEB = 0）的
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -10
m
A)
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -1.0
m
A)
BC856系列
BC857系列
BC858系列
BC856系列
BC857系列
BC858系列
BC856系列
BC857系列
BC858系列
BC856系列
BC857系列
BC858系列
V（ BR ） CEO
–65
–45
–30
–80
–50
–30
–80
–50
–30
–5.0
–5.0
–5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–15
–4.0
V
V（ BR ） CES
V
V（ BR ） CBO
V
V（ BR ） EBO
V
集电极截止电流（ VCB = -30 V）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -30 V， TA = 150 ° C）
在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
热复合是贝格斯公司的注册商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
ICBO
nA
µA
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
©
摩托罗拉公司1996年
1
MOTOROLA [ MOTOROLA, INC ]
