摩托罗拉
半导体技术资料
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由BS170 / D
TMOS FET开关
N通道 - 增强
1 DRAIN
BS170
2
门
3源
®
最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅源电压
- 连续
- 不重复（ TP
≤
50
µs)
漏电流（ 1 ）
器件总功耗@ TA = 25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VDS
VGS
VGSM
ID
PD
TJ ， TSTG
价值
60
±
20
±
40
0.5
350
1
单位
VDC
VDC
VPK
ADC
mW
°C
2
3
CASE 29-04 ，风格30
TO-92 （TO- 226AA ）
- 55 〜+ 150
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
门反向电流
（ VGS = 15V直流电， VDS = 0 ）
漏源击穿电压
（VGS = 0时， n = 100
μAdc ）
IGSS
V（ BR ） DSS
—
60
0.01
90
10
—
NADC
VDC
基本特征（ 2 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 1.0 MADC ）
静态漏源导通电阻
（ VGS = 10 VDC ， ID = 200 MADC ）
排水截止电流
（ VDS = 25伏直流电， VGS = 0伏）
正向跨导
（ VDS = 10 VDC ， ID = 250 MADC ）
VGS （ TH）
RDS （ ON）
的ID （关闭）
政府飞行服务队
0.8
—
—
—
2.0
1.8
—
200
3.0
5.0
0.5
—
VDC
Ω
µA
毫姆欧
小信号特性
输入电容
（ VDS = 10 VDC ， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
西塞
—
—
60
pF
开关特性
开启时间
（ID = 0.2 ADC），见图1
关断时间
（ID = 0.2 ADC），见图1
吨
花花公子
—
—
4.0
4.0
10
10
ns
ns
1.包装的功率耗散可导致较低的连续漏极电流。
2.脉冲测试：脉冲宽度
300
µs,
占空比
2.0%.
v
v
REV 1
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
©
摩托罗拉1997年公司
1
MOTOROLA [ MOTOROLA, INC ]
