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半导体技术资料
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通过DAN222 / D
共阴极硅
双开关二极管
这种共阴极硅外延平面双二极管是专为使用
超高速开关应用。此装置被安置在SOT -416 / SC- 90
包是专为低功耗表面贴装应用中,电路板
空间是十分宝贵的。
•
快速反向恢复时间trr
•
低CD
•
可在8毫米磁带和卷轴
DAN222
SOT - 416 / SC- 90封装
共阴极
双开关二极管
表面贴装
3
2
1
CASE 463-01 ,风格4
SOT–416/SC–90
最大额定值
( TA = 25°C )
等级
反向电压
峰值反向电压
正向电流
最大正向电流
峰值正向浪涌电流
符号
VR
VRM
IF
IFM
IFSM(1)
价值
80
80
100
300
2.0
单位
VDC
VDC
MADC
MADC
ADC
1
阳极
2
阴极
3
器件标识
DAN222 = N9
热特性
等级
功耗
结温
储存温度
符号
PD
TJ
TSTG
最大
150
150
– 55 ~ + 150
单位
mW
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
特征
反向电压漏电流
正向电压
反向击穿电压
二极管电容
反向恢复时间
1. t = 1
µS
2. TRR测试电路如下页面。
符号
IR
VF
VR
CD
trr(2)
条件
VR = 70 V
IF = 100毫安
IR = 100
µA
VR = 6.0 V,F = 1.0 MHz的
IF = 5.0毫安, VR = 6.0 V, RL = 100
Ω,
IRR = 0.1 IR
民
—
—
80
—
—
最大
0.1
1.2
—
3.5
4.0
单位
μAdc
VDC
VDC
pF
ns
热复合是贝格斯公司的商标。
REV 1
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
©
摩托罗拉公司1996年
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