MC33171 MC33172 MC33174
应用信息 - 电路描述/性能特点
虽然带宽，压摆率，以及所述沉降时间
电压VEE的毫伏范围内接近。对于沉流
MC33171 / 74分之72放大器系列类似，低功耗运算
（ > 0.4毫安） ，二极管D3钳位R4两端的电压。因此，
利用放大器产品JFET输入设备，这些放大器
负摆幅由Q 15的饱和电压的限制，
提供了额外的优点，所述PNP晶体管的结果
加D3的正向二极管压降（ ≈VEE 1.0 V） 。因此
差分输入和一个所有NPN晶体管输出级。
前所未有的峰 - 峰输出电压摆动是
由于此输入共模电压范围
可能对于给定的电源电压由输出指示
输入级包含VEE的潜力，单电源供电
摆动指标。
操作是可行的，可低至3.0V，与普通
如果负载电阻被引用到VCC ，而不是
模输入电压为地电位。
地面单电源应用中，最大可能
输入级还允许差动输入电压高达
输出摆动就可以实现对于给定的电源电压。为
±44
V时，所提供的最大输入电压范围是不
轻负载电流时，负载电阻将输出拉向
超标。具体地，在输入电压的范围必须
在正摆幅VCC和输出将拉动负载
VCC和VEE电源电压之间，如图所
在负摆幅接近地面的阻力。负载
最大额定值表。在实践中，虽然
不
电阻值应比的要少得多
推荐，
输入电压可以超过VCC
反馈电阻，最大限度的上拉功能。
电压约3.0伏，低于VEE下降
由于PNP输出射极跟随器晶体管
电压为0.3 V ，而不会造成产品损坏，虽然
被淘汰的MC33171 / 74分之72系列提供了15毫安
可能会出现输出相位反转。另外，也可以到源
最小电流吸收能力，典型地为输出电压
高达电流5.0毫安VEE或者通过输入“
的（ VEE + 1.8V ） 。在单电源应用中可以将输出
钳位二极管无损坏或闭锁，但相
直接供应或吸收基极电流的共发射极
逆转可能再次发生。如果至少有一个输入端是内
NPN晶体管电流开关应用。
共模输入电压范围内，而另一个输入是
此外，所有NPN晶体管输出级本身是
最大输入电压范围内时，没有相位反转
快于PNP类型，促进了双极型放大器的
会发生。如果两个输入超过上的共模
改进的增益带宽积。相关高
输入电压范围，则输出将被强制到其最低
频率低输出阻抗（200
Ω
典型值@ 1.0兆赫）
电压状态。
允许电容驱动能力从0 pF到400 pF的不
由于与小相关联的输入电容
振荡的同相增益配置。该
几何形状的输入设备是相当低（ 0.8 pF）的比
60℃下的相位裕量和15 dB的增益裕度，以及
一个典型的JFET （3.0 pF）时，对于给定的频率响应的
一般增益和相位特性，几乎
输入源电阻大大提高。这将成为
独立的源/汇的输出摆幅条件。这
明显，在D-到A电流到电压的转换应用
让系统更容易相位补偿，因为输出
在反馈电阻可以形成与输入极
摆动不会出现相位的考虑。交流
运算放大器的电容。该输入极点创建第二
该MC33171 /七十四分之七十二家族特征也让
因此，为了系统的单极运算放大器，是
优良的有源滤波器的能力，特别是对于低电压
有损于它的稳定时间。在这种情况下，较低的输入
单电源应用。
电容优选特别是对较高的值
虽然单电源供电规范的定义在5.0 V ，
反馈电阻（低电流DAC ） 。该输入杆
这些放大器的功能，以至少为3.0 V @ 25 ℃。
可以通过创建一个反馈零点进行补偿的
然而，在需要技术的微小变化，如带宽，
电容两端的反馈电阻，如果需要的话，向
压摆率，和DC增益可能会发生。
减少过冲。对于10 kΩ的反馈电阻时，
如果电源该集成电路的反向应用
MC33171 / 74分之72家庭通常可以在1/2回落至低位
极性，或者如果向后的插座安装在集成电路，大
的8位在4.2
µs,
和1/2 LSB内的12位4.8
µs
为
会发生过器件的电流限制了浪涌
一个10 V的一步。在一个标准的反相增益快速建立
可能会导致设备损坏。
结构中，对称的转换速率是通常
像往常一样，用最高频放大器，适当的铅
±
2.1 V / μs的。在经典的同相增益
礼服，元件贴装和PC板布局应
配置的典型输出正摆率也
行使，以获得最佳的高频性能。为
2.1伏/微秒，以及相应的负压摆率将
例如，长的非屏蔽的输入或输出引线可能会导致
通常超过正摆率下降的函数
不想要的输入/输出耦合。为了保持
输入波形的时间。
与这些关联比较低输入电容
全NPN输出级，在其基本形式显示
放大器，连接到所述输入端的电阻应
等效电路原理图，提供了独特的优势
紧邻所述输入引脚，以尽量减少额外
更常规的NPN / PNP晶体管AB类输出
杂散输入电容。这不仅最大限度地减少了输入
阶段。一个10 kΩ的负载电阻一般可在0.8 V摆动
极，以获得最佳的频率响应，而且最大限度地减少
正电源轨（ VCC）和负轨（ VEE ） ，提供的
多余的“回暖”在这个节点上。电源去耦用
从28.4 Vpp的挥杆
±15
V电源。这个大输出摆幅
足够的电容紧邻供给针
成为最引人注目的，在较低的电源电压。
也很重要，特别是在温度，因为许多
正摆动是由饱和电压的限制
类型的去耦电容具有强大的阻抗
电流源晶体管Q7 ，的NPN型拉VBE中
随温度变化。
晶体管Q17 ，并与相关联的电压降
任一项所述放大器的输出是电流限制，从而
短路电阻R5。对于吸收电流小于
防止直接短路到地。然而，在这
0.4毫安，负摆幅由饱和的限制
条件下，重要的是不要让该设备超出
电压下拉晶体管Q15 ，以及电压降
最高结温额定值。通常，对于
±15
V
跨越R4和R5 。对于小的重视吸收电流，上述
用品，任一输出可连续短路到
电压降可以忽略不计，从而使负摆幅
地不超过最大额定温度。
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摩托罗拉模拟集成电路设备数据
MOTOROLA [ MOTOROLA, INC ]
