摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MCR100 / D
可控硅整流器器
反向阻断三极晶闸管
专为高容量，线路供电的消费类等应用PNPN设备
如继电器和灯驱动器，小型电动机的控制，对于较大的晶闸管的栅极驱动器，和
传感和检测电路。提供以廉价的塑料TO- 226AA包
这很容易适应于自动插入设备中使用。
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敏感的门极触发电流 - 200
µA
最大
低反向和正向阻断电流 - 100
µA
最大， TC = 125°C
低保持电流 - 5毫安最大
玻璃钝化表面的可靠性和一致性
MCR100
系列*
*摩托罗拉的首选设备
可控硅
0.8安培RMS
100通600伏
G
A
K
K
G
A
CASE 29-04
(TO-226AA)
10风格
最大额定值
（ TJ = 25 ° C除非另有说明。 ）
等级
重复峰值正向和反向阻断电压（ 1 ）
（ TJ = 25〜 125 ℃， RGK = 1千欧
MCR100-3
MCR100-4
MCR100-6
MCR100-8
正向电流有效值（见图1 & 2 ）
（所有的导通角）
峰值正向浪涌电流， TA = 25°C
（1/2周期，正弦波， 60赫兹）
电路熔断注意事项
（T = 8.3毫秒）
峰值门电力 - 前进， TA = 25°C
平均门电力 - 前进， TA = 25℃
栅极峰值电流 - 前进， TA = 25°C
(300
µs,
120 PPS ）
峰值栅极电压 - 反向
工作结温范围@额定VRRM和VDRM
存储温度范围
无铅焊锡温度
( 1/16
I
从情况下， 10秒以内）
符号
VDRM
和
VRRM
价值
100
200
400
600
0.8
10
0.415
0.1
0.01
1
5
-40到+125
-40到+150
+230
安培
安培
A2s
瓦
瓦
AMP
伏
°C
°C
°C
单位
伏
IT （ RMS ）
ITSM
I2t
PGM
PGF （ AV ）
IGFM
VGRM
TJ
TSTG
—
t
1. VDRM和VRRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。评级申请零或负栅极电压;然而，正栅极
电压不应被施加一致与在阳极上的负电位。阻断电压不得以恒定电流测试
源，使得器件的电压额定值被超过。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉晶闸管设备数据
©
摩托罗拉公司1995年
1
MOTOROLA [ MOTOROLA, INC ]
