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MMBT2907ALT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT2907ALT1图片预览
型号: MMBT2907ALT1
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内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 6 页 / 250 K
品牌: MOTOROLA [ MOTOROLA, INC ]
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摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MMBT2907LT1 / D
通用晶体管
PNP硅
1
BASE
集热器
3
MMBT2907LT1
MMBT2907ALT1*
*摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
2907
–40
–60
–5.0
–600
2
辐射源
1
3
2907A
–60
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
2
CASE 318 - 08 ,类型6
SOT- 23 ( TO - 236AB )
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局( 1 )
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, ( 2 ) TA = 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
q
JA
PD
556
300
2.4
R
q
JA
TJ , TSTG
417
- 55 〜+ 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
器件标识
MMBT2907LT1 = M2B ; MMBT2907ALT1 = 2F
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( 3 )
( IC = -10 MADC , IB = 0 )
集电极 - 基极击穿电压( IC = -10
m
的adc ,IE = 0)
发射极 - 基极击穿电压(IE = -10
m
ADC , IC = 0 )
集电极截止电流( VCE = -30伏直流, VBE (关闭) = -0.5 V直流)
收藏家Cuto FF电流
( VCB = -50伏直流, IE = 0 )
MMBT2907
MMBT2907A
MMBT2907
MMBT2907A
IB
V( BR ) CEO
MMBT2907
MMBT2907A
V( BR ) CBO
V( BR ) EBO
ICEX
ICBO
–0.020
–0.010
–20
–10
–50
NADC
–40
–60
–60
–5.0
–50
VDC
VDC
NADC
μAdc
VDC
( VCB = -50伏直流, IE = 0 , TA = 125°C )
基本电流( VCE = -30伏直流, VEB (关闭) = -0.5 V直流)
1, FR- 5 = 1.0
0.75 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4 0.3 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
3.脉冲测试:脉冲宽度
300
m
S,占空比
2.0%.


 
v
v
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
©
摩托罗拉公司1996年
1