摩托罗拉
半导体技术资料
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通过PZT2222AT1 / D
NPN硅平面
外延晶体管
这NPN硅外延晶体管设计用于线性和开关的使用
应用程序。该设备被容纳在所述的SOT- 223封装，其目的是为
中等功率表面贴装应用。
•
PNP补是PZT2907AT1
•
采用SOT - 223封装可以用波或回流焊接。
•
SOT- 223封装可以确保水平安装，从而提高了热
传导，并且允许焊点的目视检查。所形成的
在焊接过程中动态吸收热应力，消除的可能性
损坏模具。
•
采用12毫米磁带和卷轴
使用PZT2222AT1责令7英寸/ 1000单元卷轴。
使用PZT2222AT3订购13英寸/ 4000单元卷轴。
BASE
1
3
辐射源
集热器
2, 4
PZT2222AT1
摩托罗拉的首选设备
SOT- 223封装
NPN硅
晶体管
表面贴装
4
1
2
3
CASE 318E -04 ，风格1
TO-261AA
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
总功率耗散高达TA = 25 ° C（ 1 ）
存储温度范围°
结温°
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
TSTG
TJ
价值
40
75
6.0
600
1.5
- 65 〜+ 150
150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
瓦
°C
°C
热特性
从结点到环境的热阻
从案例无铅焊接温度的， 0.0625 “
在焊接洗澡时间
R
θJA
TL
83.3
260
10
° C / W
°C
美国证券交易委员会
器件标识
P1F
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10
μAdc ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（ IE = 10
μAdc ，
IC = 0）
基射极截止电流（ VCE = 60 VDC ， VBE = - 3.0 V直流）
集电极 - 发射极截止电流（ VCE = 60 VDC ， VBE = - 3.0 V直流）
发射基截止电流（ VEB = 3.0伏， IC = 0 ）
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
IBEX
ICEX
IEBO
40
°75°
6.0
—
—
—
—
°—°
—
20
10
100
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
NADC
1.装置安装在环氧树脂印刷线路板1.575英寸X 1.575英寸X 0.059英寸;安装焊盘的集电极引线分钟。 0.93平方英寸。
REV 2
©
摩托罗拉公司1996年
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
1
MOTOROLA [ MOTOROLA, INC ]
