摩托罗拉
半导体技术资料
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通过PZTA92T1 / D
高压晶体管
PNP硅
集热2,4
BASE
1
辐射源3
PZTA92T1
摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功率耗散高达TA = 25 ° C（ 1 ）
存储温度范围
结温
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
TSTG
TJ
价值
– 300
–300
– 5.0
– 500
1.5
- 65 〜+ 150
150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
瓦
°C
°C
SOT- 223封装
PNP硅
高压晶体管
表面贴装
4
1
2
3
CASE 318E -04 ，风格1
TO–261AA
器件标识
P2D
热特性
特征
从结点到环境的热阻（ 1 ）
符号
R
θJA
最大
83.3
单位
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = -1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压（ IC = -100
μAdc ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（IE = -100
μAdc ，
IC = 0）
集电极 - 基极截止电流（ VCB = - 200伏， IE = 0 ）
发射基截止电流（ VBE = - 3.0伏， IC = 0 ）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
IEBO
– 300
– 300
– 5.0
—
—
—
—
—
– 0.25
– 0.1
VDC
VDC
VDC
μAdc
μAdc
基本特征
DC电流增益（2）
（ IC = - 1.0 MADC ， VCE = - 10 VDC ）
（ IC = -10 MADC ， VCE = - 10 VDC ）
（ IC = - 30 MADC ， VCE = - 10 VDC ）
饱和电压
（ IC = -20 MADC ， IB = -2.0 MADC ）
（ IC = -20 MADC ， IB = -2.0 MADC ）
的hFE
25
40
25
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
—
—
—
—
—
VDC
– 0.5
– 0.9
—
动态特性
集电极 - 基极电容@ F = 1.0兆赫（ VCB = -20伏直流， IE = 0 ）
电流增益 - 带宽积
（ IC = -10 MADC ， VCE = - 20伏直流电， F = 100兆赫）
建行
fT
—
50
6.0
—
pF
兆赫
1.装置安装在玻璃环氧印刷电路板1.575英寸X 1.575英寸X 0.059英寸;安装焊盘的集电极引线分钟。 0.93平方英寸。
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
µs;
占空比= 2.0 ％ 。
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 2
©
摩托罗拉1997年公司
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
1
MOTOROLA [ MOTOROLA, INC ]
