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MA4TD1110 参数 Datasheet PDF下载

MA4TD1110图片预览
型号: MA4TD1110
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内容描述: 硅双极MMIC放大器级联 [Silicon Bipolar MMIC Cascadable Amplifier]
分类和应用: 放大器
文件页数/大小: 3 页 / 47 K
品牌: MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
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M-脉冲微波
硅双极MMIC
级联放大器
特点
高动态范围可级联50Ω / 75Ω增益模块
3dB带宽: 50 MHz至1.3 GHz的
17.0 dBm的典型P
1dB
@ 1.0 GHz的
12分贝典型增益@ 0.5 GHz的
3.8分贝典型噪声系数@ 1.0 GHz的
封闭式金陶瓷微带封装
磁带和卷轴包装可用
描述
M- Pulse的MP4TD1110是一种高性能硅
双极MMIC装在一个密闭型的高可靠性
封装。该MP4TD1110设计用于在使用中
系统,其中一个的高动态范围和低失真
增益模块是必需的。典型的应用包括
窄和宽的带IF和RF放大器在工业
和军事应用。
该MP4TD1110正在使用10千兆赫的fT硅制成
双极技术,具有黄金金属化和IC
钝化,以提高性能和可靠性。
典型功率增益与频率
16
14
12
增益(dB )
10
8
6
4
2
0.1
1
频率(GHz )
10
Id=60mA
.040
1,02
MP4TD1110
金陶瓷微带封装外形
1,2
4
GND
RF输入
1
RF OUT
和偏置
3
.020
0,51
2
GND
.004 ±.002
0,1±0,05
.100
2,54
.030
0,76
.495 ±.030
12,57 ±0,76
注意事项:
(除非另有规定编)
1.尺寸以英寸/毫米
2.公差:在.XXX =
±.005;
毫米.XX =
±.13
引脚配置
引脚数
引脚说明
1
RF输入
2&4
AC / DC接地
3
RF输出和直流偏置
订购信息
型号
MA4TD1110
MA4TD1110T
密封陶瓷
磁带和卷轴
电气规格@ T
A
= + 25 ° C,编号为60毫安, Z0 = 50Ω
符号
参数
测试条件
Gp
功率增益(
S
21
2
)
F = 0.1 GHz的
增益平坦度
F = 0.1 〜0.7千兆赫
ΔGp
f
3dB
3 dB带宽
参考50 MHz增益
SWR
in
输入驻波比
F = 0.1〜2.0千兆赫
SWR
OUT
输出驻波比
F = 0.1〜2.0千兆赫
P
1dB
输出功率@ 1 dB增益压缩F = 0.7 GHz的
NF
F = 0.7 GHz的
50
Ω
噪声系数
IP
3
三阶截点
F = 1.0 GHz的
t
D
群时延
F = 1.0 GHz的
V
d
器件电压
-
dv / dt的
器件电压温度系数
-
单位
dB
dB
GHz的
-
-
DBM
dB
DBM
ps
V
毫伏/°C的
分钟。
11.5
-
-
-
-
16.0
-
-
-
4.5
-
典型值。
12.5
±0.8
1.3
1.9
2.1
17.0
3.8
30.0
160
5.5
-8.0
马克斯。
13.5
±1.0
-
-
-
-
4.5
-
-
6.5
-
规格如有变更,恕不另行通知
M-脉冲微波
PH ( 408 ) 432-1480
__________________________________________________________________________________
1
FX ( 408 ) 432-3440