中等功率高的fT
NPN硅晶体管
特点
高¡
输出功率
- 16 dBm的P1dB为@ 1 GHz的
- 10 dBm的P1dB为@ 2 GHz的
高¡
增益带宽积
•8-9
千兆赫的fT
高¡
功率增益
- | S21E |
2
= 15 dB的1 GHz的
- | S21E |
2
= 9分贝@ 2 GHz的
ULOW
噪声系数
- 1.5分贝@ 1.5 GHz的
描述
该MP4T856系列中等功率NPN
晶体管提供图片的IDE噪音低5-10 V OLTS操作
V oltage 。这些晶体管被设计用于优化
获得在中等集电极电流（20 - 60 mA）的。
它们分别是中等功率有用（ + 23-24 dBm的）低
在0.5-2 GHz的噪声放大器或低噪声VCO
晶体管从100 MHz到5.0 GHz的。
这些inexpensiv ê晶体管是在SOT- AV ailable
图23（ MP4T85633 ） ，所述的SOT- 143 （ MP4T85639 ），并且
微-X （ MP4T85635 ）封装。
它们也
AV ailable作为芯片（ MP4T85600 ）的混合电路。该
塑料封装SOT -23和SOT -143通常
磁带和卷轴提供。
包装外形
MP4T856系列
SOT-23
SOT-143
芯片
绝对最大额定值
1
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
结温
芯片或陶瓷封装
塑料包装
储存温度
芯片或陶瓷封装
塑料包装
功率耗散（模）
1.请参阅功率降额曲线。
绝对最大
20 V
12 V
3.0 V
百毫安
+200°C
+150°C
-65 ° C到+ 200℃
-65 ° C到+ 200℃
1200毫瓦
1
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
1
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
