硅双极MMIC放大器级联
绝对最大额定值
1
参数
绝对最大
器件的电流
80毫安
2,3
功耗
275毫瓦
RF输入功率
+13 dBm的
结温
200°C
储存温度
-65 ° C到+ 200℃
热阻：
θ
JMS
= 50℃ / W的
1.超出这些限制可能会造成永久性的损害。
2.安装面温度（ TMS ） = 25
°C.
3.减额在20毫瓦/ ℃， TMS > 186℃
IN
1
C（ DC挡）
MP4TD0700
MP4TD0700
典型偏置配置
RBIAS
VCC > 7 V
ID =
VCC - Vd的
RBIAS
RFC （可选）
4
C（ DC挡）
3
OUT
VD = 5.0 V
2
典型性能曲线@编号= 22 mA时， TA = + 25 ° C（除非另有说明）
器件电流VS器件电压
回波损耗（分贝）
40
ID，设备电流（mA）
35
30
25
20
15
10
5
0
0
-5
-1 0
-1 5
-2 0
-2 5
回波损耗与频率
在P ü吨
Ø ü TPU牛逼
-3 0
-3 5
1
2
3
4
5
0 .1
1
由于F R ê Q ü简ç ÿ （G ^ h Z）
10
VD， D E V IC Ë VO L T千兆以太网（ V）
14
12
10
增益（dB ）
8
6
4
2
0
功率增益VS电流
F = 0.1克ħ ž
F = 0 0.5摹ħ ž
F =为1.0G ħ ž
F = 2.0 GH ž
P
OUT
-1dB （ dBm的）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
P
OUT
@ 1分贝增益压缩
与频率
I D = 40μm的
ID = 22微米的
0
10
20
30
40
50
0 .1
1
FR ê Q ü简ç ÿ （G ^ h Z）
10
I D ， D E VIC权证ü R R简T（米A）
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲微波
2
PH （ 408 ） 432-1480
__________________________________________________________________________________
FX （ 408 ） 432-3440
MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
