M-脉冲微波
硅双极MMIC
级联放大器
特点
•
高动态范围可级联
50Ω / 75Ω增益模块
•
3dB带宽： 50 MHz至1.0 GHz的
•
17.5 dBm的典型P
1dB
@ 0.7 GHz的
•
11分贝典型增益@ 0.5 GHz的
•
3.5分贝典型噪声系数@ 1.0 GHz的
RF输入
MP4TD1100
芯片外形Drawing1,2,3,4
描述
M- Pulse的MP4TD1100是一种高性能硅
双极MMIC芯片。该MP4TD1100被设计为
在50Ω或75Ω系统使用，其中高动态范围
增益模块是必需的。典型的应用包括
窄和宽的带IF和RF放大器在工业
和军事应用。
该MP4TD1100是使用10 GHz的F T硅制造
双极技术，具有黄金金属化和IC
钝化，以提高性能和可靠性。
反馈电容
地
可选RF输出& +5.5伏
375
µ
（ 14.8万）
375
µ
（ 14.8万）
14
12
10
增益（dB ）
8
6
4
2
0
典型功率增益与频率
注意事项：
（除非另有规定编）
1.芯片厚度为120
µm;
4.8密耳
2.焊垫40
µm;
1.6密耳的典型直径
3.输出联系& + DC电压通常就
背后的芯片在芯片粘接
4.公差：微米.XX =
±.13;
万.X =
±.5
Id=60mA
订购信息
型号
MP4TD1100G
MP4TD1100W
运营商的类型
凝胶包
华夫格包
0.1
1
频率（GHz ）
10
电气规格@ T
A
= + 25 ° C，编号为60毫安， Z0 = 50Ω
符号
参数
测试条件
Gp
F = 0.1 GHz的
功率增益（ ⏐S21
2)
增益平坦度
F = 0.1 〜0.7千兆赫
ΔGp
f
3dB
3 dB带宽
参考50 MHz增益
SWR
in
输入驻波比
F = 0.1〜2.0千兆赫
SWR
OUT
输出驻波比
F = 0.1〜2.0千兆赫
P
1dB
输出功率@ 1分贝增益压缩
F = 0.7 GHz的
NF
F = 1.0 GHz的
50
Ω
噪声系数
IP
3
三阶截点
F = 1.0 GHz的
t
D
群时延
F = 1.0 GHz的
V
d
器件电压
-
dv / dt的
器件电压温度系数
-
规格如有变更，恕不另行通知
单位
dB
dB
GHz的
-
-
DBM
dB
DBM
ps
V
毫伏/°C的
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.5
-
典型值。
12.5
+ 1.2
1.0
1.9
1.9
17.5
4.5
30.0
160
5.5
-8.0
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6.5
-
1
M-脉冲微波
PH （ 408 ） 432-1480
__________________________________________________________________________________
FX （ 408 ） 432-3440
MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
