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MP4TD1135 参数 Datasheet PDF下载

MP4TD1135图片预览
型号: MP4TD1135
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内容描述: 硅双极MMIC放大器级联 [Silicon Bipolar MMIC Cascadable Amplifier]
分类和应用: 放大器
文件页数/大小: 3 页 / 51 K
品牌: MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
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M-脉冲微波
硅双极MMIC
级联放大器
特点
高动态范围可级联
50Ω / 75Ω增益模块
3dB带宽: 50 MHz至1.0 GHz的
17 dBm的典型P
1dB
@ 0.7 GHz的
11分贝典型增益@ 0.5 GHz的
4.0分贝典型噪声Figre @ 0.7 GHz的
高性价比陶瓷微带封装
磁带和卷轴包装可用
MP4TD1135 , MP4TD1136
陶瓷微带封装类型纲要
1,2,3
可在短引线版本MP4TD1136 。
4
.085
2,15
RF OUT
和偏置
3
.020
0,508
GND
RF输入
1
描述
M- Pulse的MP4TD1135和MP4TD1136高
装在符合成本效益的高性能硅双极MMIC产品
陶瓷微带封装。
该MP4TD1135和
MP4TD1136被用于50Ω或75Ω系统设计
其中,具有高动态范围的增益块是必需的。典型
应用包括窄带和宽带IF和RF
放大器在工业和军事应用。
该MP4TD1135和MP4TD1136使用的是制造
10 GHz的fT的硅双极技术,具有金
金属化和集成电路的钝化,以提高性能
和可靠性。
.057
1,45
.455 ±.030
11,54 ±0,76
0.180±0.010
4.57 ±0,25
MA4TD1136
2
GND
.100
2,54
ø .083
2,11
.022
0,56
.006 ±.002
0,15 ±0,05
MA4TD1135
典型功率增益与频率
14
12
10
增益(dB )
8
6
4
2
0
0.1
1
频率(GHz )
10
Id=60mA
注意事项:
(除非另有规定编)
1.尺寸以英寸/毫米
2.公差:在.XXX =
±.005;
毫米.XX =
±.13
3.请参阅数据表的最后一页的短引线微型-X
引脚配置
引脚数
1
2&4
3
单位
dB
dB
GHz的
-
-
DBM
dB
DBM
ps
V
毫伏/°C的
引脚说明
RF输入
AC / DC接地
RF输出和直流偏置
分钟。
11.5
-
-
-
-
16.0
-
-
-
4.5
-
典型值。
12.5
+ 0.9
1.0
2.0
1.9
17.0
4.0
30.0
160
5.5
-8.0
马克斯。
13.5
+ 1.1
-
-
-
-
4.5
-
-
6.5
-
电气规格@ T
A
= + 25 ° C,编号为60毫安, Z0 = 50Ω
符号
参数
测试条件
2)
Gp
F = 0.1 GHz的
功率增益( ⏐S21
增益平坦度
F = 0.1 〜0.7千兆赫
ΔGp
f
3dB
3 dB带宽
参考50 MHz增益
SWR
in
输入驻波比
F = 0.1〜2.0千兆赫
SWR
OUT
输出驻波比
F = 0.1〜2.0千兆赫
P
1dB
输出功率@ 1分贝增益压缩
F = 0.7 GHz的
NF
F = 0.7 GHz的
50
Ω
噪声系数
IP
3
三阶截点
F = 1.0 GHz的
t
D
群时延
F = 1.0 GHz的
V
d
器件电压
-
dv / dt的
器件电压温度系数
-
规格如有变更,恕不另行通知
M-脉冲微波
PH ( 408 ) 432-1480
__________________________________________________________________________________
1
FX ( 408 ) 432-3440