硅双极MMIC放大器级联
MP4TD0800
绝对最大额定值
1
参数
绝对最大
器件的电流
80毫安
2,3
功耗
750毫瓦
RF输入功率
+20 dBm的
结温
200°C
储存温度
-65 ° C到+ 200℃
热阻：
θ
JMS
= 70 ° C / W
1.超出这些限制可能会造成永久性的损害。
2.外壳温度（ TMS ） = 25
°C.
3.减免14.3毫瓦/ ℃， TMS > 147 ℃。
典型偏置配置
RBIAS
VCC > 10 V
ID =
VCC - Vd的
RBIAS
RFC （可选）
4
C（ DC挡）
IN
1
MP4TD0800
C（ DC挡）
3
OUT
VD = 7.8 V
2
典型性能曲线@编号= 36 mA时， TA = + 25 ° C（除非另有说明）
40
ID，设备电流（mA）
35
器件电流VS器件电压
回波损耗（分贝）
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
回波损耗与频率
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
VD， D E VI权证V Ø L T AG E（ V）
INP UT
Ø ü TP UT
0.1
1
由于F R ê曲简ç ÿ （G ^ h Z）
10
35
30
25
功率增益VS电流
18
0.1克ħ ž
16
P
OUT
- 1分贝（ DBM）
14
12
10
8
6
10
20
30
ID ， D E VIC权证ü R R简T（米A）
40
50
4
0 .1
P
OUT
@ -1dB增益压缩
与频率
ID = 40μm的
增益（dB ）
20
15
10
5
0
ID = 3 6米一
为1.0G ħ ž
2.0 GH ž
3.0 GH ž
1
FR ê Q ü简ç ÿ （G ^ h Z）
10
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲微波
2
PH （ 408 ） 432-1480
__________________________________________________________________________________
FX （ 408 ） 432-3440
MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
