MP2007 - 3A ， 1.3V - 6.0V输入， DDR存储器终端REGUALTOR
典型性能特性
C1 = C2 = C3 = 10uF的， C4 = C6 = 0.1uF的电容， C7 = 4.7uF的，V
DRV
= 5V ，T
A
= 25℃，除非另有说明。
1.37
1.33
1.29
1.25
1.21
1.17
-5 -4 -3 -2 -1 0
1
2
3
4
5
1.02
0.98
0.94
0.87
0.83
0.79
V
DDQ
=2.5V
0.9
0.86
0.82
V
DDQ
=2.5V
0.75
0.71
0.67
V
DDQ
=1.8V
V
DDQ
=1.5V
-5 -4 -3 -2 -1 0
1
2
3
4
5
V
DDQ
=1.8V
V
DDQ
=1.8V
-5 -4 -3 -2 -1 0
1
2
3
4
5
源负载瞬态
V
DDQ
=V
REF
=1.8V, V
TT
=0.9V
沉负载瞬态
V
DDQ
=V
REF
=2.5V, V
TT
=0.9V, V
SINK
=1.8V
来源过流保护
V
DDQ
=V
REF
=2.5V, V
TT
=1.25V
V
TT
10mV/div.
V
TT
10mV/div.
V
IN
2
V / DIV 。
V
TTREF
1V/div.
V
TT
1V/div.
I
TT
1A/div.
20us/div
I
TT
1A/div.
400us/div
I
TT
2A/div.
400ms/div
功率斜升
V
DDQ
=V
REF
=1.8V, V
TT
=0.9V
启动时通过向下
V
DDQ
=V
REF
=1.8V, V
TT
=0.9V
汇过电流保护
V
DDQ
=V
REF
=2.5V, V
TT
=1.25V,V
SINK
=2.5V
V
DDQ
2V/div
V
TTREF
2V/div.
V
TT
0.5V/div.
I
TT
1A/div.
4ms/div
V
DDQ
2V/div
V
TTREF
2V/div.
V
TT
0.5V/div.
I
TT
1A/div.
10ms/div
V
DDQ
2V/div
V
TTREF
1V/div.
V
TT
1V/div.
I
TT
2A/div.
1s/div
MP2007牧师0.9
7/23/2009
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