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MP2009EE-3 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MP2009EE-3
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内容描述: 超低噪声,低压差,120mA线性稳压器 [Ultra-Low-Noise Low-Dropout, 120mA Linear Regulator]
分类和应用: 稳压器
文件页数/大小: 14 页 / 415 K
品牌: MPS [ MONOLITHIC POWER SYSTEMS ]
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MP2009 ,超低噪声,低压差, 120mA线性稳压器
手术
该MP2009是一款超低噪声,低压差,
低静态电流的线性稳压器设计
对于空间受限的应用。其目的是为
在设备上使用,需要非常低的电压,低
静态电流,如无线局域网,电池 -
供电设备和手持设备。
内部P沟道MOSFET
该MP2009拥有一个1.4Ω P沟道
MOSFET作为传输晶体管。它提供
在使用类似的设计几大优势
PNP旁路晶体管。所述P沟道MOSFET
不需要基极驱动,从而降低静态
电流很大,因此增加了电池寿命。
PNP型稳压浪费相当
目前在退学时,导通晶体管
饱和。他们还利用高基极驱动电流
在大负载条件下。该MP2009呢
没有这些问题,遭受和消费
仅50μA的静态电流在轻载和
辍学模式。
输入输出电压差
电压差最小输入输出
所需的稳压器,以差动电压
维持内100mV的输出电压的
标称值。它决定了可终了
寿命电池电压的电池供电系统。
对于P沟道MOSFET的导通元件,所述
压差排水的功能,在源
性。由于P沟道MOSFET
通过元素表现为低阻值电阻,
MP2009的压差电压是很低的。
关闭
该MP2009可以通过切换为ON或OFF
逻辑输入的EN引脚。在这个高电压
销将开启该设备。当EN引脚为
低时,调节器的输出是关闭的。 EN引脚应
绑VIN保持稳压器的输出始终
如果该应用程序不要求对
停机功能。不浮动EN引脚。
限流和热保护
该MP2009包括一个独立的电流
限制结构,其监测和控制的P
沟道MOSFET的栅极电压限制
保证最大输出电流120mA的。
热保护器断开P型沟道
当结温超过MOSFET
+ 150℃ ,使IC冷却。当IC的
结温下降20℃时,PMOS
将再次打开。热保护限制
总功耗中的MP2009 。为
运行可靠,结温
限于125 ºC最大。
MP2009牧师1.2
12/18/2013
www.monolithicpower.com
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© 2013 MPS 。版权所有。
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