绝对最大额定值
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T
C
T
J
-40°C至+ 125°C
+150°C
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○
电气规格
参数
输出特性
VDS(ON )电压
1
正向电压
1
反向恢复时间
1
漏电流
1
PWM频率
VCC电源特性
静态偏置电流
VCC电压范围
1
输入信号特性
模拟输入电压
模拟输入电压
模拟输入电压
逻辑控制输入
1
所有评分:TC = + 25 ° C除非另有说明
测试条件
2
MSK 4223
分钟。
-
-
-
-
225
模拟输入= 6V
DC
R
L
=
∞
-
9
5.5
2.5
8.5
-
2.7
-
-
2.7
-
-
-
-
典型值。
0.75
1.1
-
1.0
250
46
12
6
3
9
-
-
-
-
-
-
56
33
100
马克斯。
1.5
1.8
260
25
275
60
16
6.5
3.5
9.5
0.8
-
-135
0.8
-
-270
84
50
-
单位
每个MOSFET我
D
=6A
每个MOSFET我
S
= 6A征二极管
征二极管
每个MOSFET V + = 70V
输出A , B = 50 %占空比
输出A = 100 %占空比高
输出B = 100 %占空比高
输入电压LO
禁止输入
输入电压HI
输入电流( DISABLE = 0V)
输入电压LO
HEN输入
开关特性
1
上升时间
下降时间
死区时间
输入电压HI
输入电流( HEN = 0V )
R
L
=100Ω
V+=75V
V+=75V
注意事项:
1设计保证,但未经测试。典型的参数是代表实际器件性能,但是仅用于参考。
2 VCC = + 12V ,V + = 28V ,R
L
= 1K一
OUT
到B
OUT
除非另有规定ED 。
2
初步版本˚F 10/00
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○
V+
V
CC
I
OUT
I
PK
V
OUT
θ
JC
高电压源
75V
逻辑电源
16V
连续输出电流
6A
峰值输出电流
9A
输出电压范围为GND- 2V分钟。到V +最大。
热阻
4.6°C/W
(输出开关)
T
ST
T
LD
存储温度范围
铅温度范围
(10秒)
情况下的工作温度
MSK4223
结温
-65 ° C至+ 150°C
300°C
V
V
nS
uA
千赫
mA
V
V
V
V
V
V
uA
V
V
uA
nS
nS
nS