应用笔记
电流限制：
MSK的5043配备有一对感引脚位
用来感测通过外部电阻（RS）的负载电流。
限流电路，复位主PWM锁存器并关闭
内部高边MOSFET开关时的电压昼夜温差
感和高感低的ference超过100mV的。
这限制了发生在两个电流方向，把
阈值限制在± 100mV的。在正电流的公差
租限为±20％ 。外部低值检测电阻应
的大小为80mV的/ RS ，以保证足够的承载能力。负载
部件必须设计成能承受连续电流
为120mV / RS的压力。
对于非常高的电流的应用中，可能有用的丝
感觉输入，双绞线，而不是PCB走线。这
双绞线不必是唯一的东西，也许是两件
钢丝缠绕电线缠绕在一起。低电感电流检测
电阻器，例如金属膜的表面安装方式是最好的。
输入电容的选择：
该MSK 5043有一个内部的高频陶瓷钙
V之间pacitor （一个0.1uF ）
IN
和GND 。连接一个低ESR
大容量电容器直接到MSK 5043.硒的输入引脚
根据输入的择大容量输入滤波电容ripple-
电流和额定电压要求，而不是电容器
值。具有足够低ESR电解电容
满足纹波电流的要求总是有不止
适当的电容值。铝电解电容器
器优于钽类型，这可能会导致加电
时的浪涌电流故障连接到强大的交流变压器时，
器或低阻抗的电池。 RMS输入纹波电流
通过对输入电压和负载电流决定，与
最坏的情况下存在的在V
IN
= 2× V
OUT
:
I
RMS
= I
负载
X
√V
OUT
(V
IN
-V
OUT
)
V
IN
软启动/ Cton ：
内部软启动电路可逐渐增加
在启动了重新的目的，内部电流限制水平
ducing输入浪涌电流，并有可能对电源SE-
quencing 。在关闭模式下，软启动电路保持Cton
电容器放电至地。当启用变高，一4μA
电流源充电Cton电容高达3.2V 。在重
质保的义务线性斜坡使内部限流阈值
按比例增加从20mV至100mV 。输出钙
pacitors充电比较慢，这取决于Cton钙
pacitor值。输出上升的确切时间取决于
输出电容和负载电流，并且通常每1毫秒
纳法的软启动电容。无电容连接，
通常在达到10μS最大电流限制。
输出电容的选择：
输出电容值通常由下式确定
在ESR和额定电压的要求，而不是电容
tance需求稳定。满足低ESR电容
ESR的要求，平时有较多的输出电容比
所需的稳定性。只有专门的低ESR电容IN-
倾向于对开关稳压器的应用中，如AVX TPS，
斯普拉格595D ，三洋OS- CON ，尼吉康PL系列或基美
T510系列应该被使用。该电容器必须满足微型
在给定的妈妈电容和最大ESR值
下面的等式：
C
F
> 2.5V （ 1 + V
OUT
/V
IN（分钟）
)
V
OUT
个R
SENSE
架F
R
ESR
＆ LT ; ř
SENSE
X V
OUT
2.5V
这些方程提供了45度的相位裕度，以
确保无抖动的固定频率工作，提供阻尼
零到满负载阶跃变化的输出响应。较低的质
如果负载没有大的阶跃变化，两者均电容器都可以使用。
过温基准测试建议，以验证AC-
接受的噪声和瞬态响应。由于相位裕度
减少，首发症状是定时抖动，这说明在
开关波形。从技术上讲，这通常
无害的抖动是不稳定的操作，由于开关频
昆西是不恒定的。作为电容器的ESR增加，
抖动变差。最终，在负载瞬态波形
形式有足够的铃声在它的峰值噪音水平超出
输出电压容差。零相位裕度和IN
目前稳定，输出电压噪声从来没有得到太多
比我差
PEAK
个R
ESR
（在恒定的负载） 。设计师
工业温度范围内的数字系统通常会多
不伤害为1.5倍来往计算ESR值
稳定或瞬时响应。
输出纹波通常通过的ESR的主导
滤波器电容器和可近似为我
纹波
个R
ESR
.
包括电容性术语，充分方程中的纹波
连续模式为V
噪声（峰 - 峰值）
=I
纹波
X （注册商标
ESR
+ 1 / （ 2πfC ））。在
空闲模式下，电感器电流不连续以
高山峰和广间隔的脉冲，故噪音其实可以
更高，在轻负载时相比满载。在空闲模式下，
输出纹波可以被计算如下：
V
噪声（峰 - 峰值）
= 0.02个R
ESR
+
0.0003 X 3.3μH X [ 1 / V
OUT
+ 1/(V
IN
-V
OUT
)]
R
SENSE
(R
SENSE
）2乘C
使能功能：
MSK的5043是通过将一个逻辑高电平以使能
的使能引脚。逻辑电平将禁止该设备并
静态输入电流将减少到大约2毫安。该
启用阈值电压为1V 。如果自动启动时是必需的，
简单的引脚连接到V
IN
。最大允许电压为+ 36V 。
功耗：
在高电流的应用中，这是非常重要的，以确保
这两个MOSFET都在他们的最高结温
perature在高温环境下。温升可以
计算基于封装热阻和最差
散热的情况下为每个MOSFET。这些最坏的情况下耗散
系统蒸发散在发生的最低电压为高边MOSFET和
在最大电压的低侧MOSFET 。
使用下面的公式计算功耗：
加入Pd（上面的FET ） =我
负载
² X RDS X DUTY
+ V
IN
X我
负载
X F x垂直
IN
乘C
RSS
+20ns
I
门
加入Pd（下面的FET ） =我
负载
² X RDS ×（ 1班）
DUTY = （V
OUT
+V
Q2
)
(V
IN
-V
Q1
)
其中：V
Q1
或V
Q2
（上态压降） = I
负载
X RDS
RDS = 0.035Ω MAX 25℃
C
RSS
=94pF
RDS = 0.080Ω MAX在150℃
I
门
=1A
在输出短路， Q2 ，同步整流
的MOSFET ，将具有增加的占空因数，并会看到额外
tional压力。这可以计算如下：
Q2 DUTY = 1
V
Q2
V
IN （MAX）
-V
Q1
其中：V
Q1
或V
Q2
=(120
MV
/R
SENSE
）× RDS
3
版本A 2/06
MSK [ M.S. KENNEDY CORPORATION ]
