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FCD380N60E

功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET®,Easy Drive,600 V,10.2 A,380 mΩ,DPAK
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IKY75N120CS6

TRENCHSTOP™ IGBT6
双极性晶体管
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SCS308AH

可降低开关损耗,可高速开关。 SiC支持页面评估板, 文件 应用实例介绍罗姆制SiC元器件 何谓SiC功率元器件?电子小知识#banner-area a:link {text-decoration
电子开关
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GRM0225C1C5R1BA03#

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SPW55N80C3

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PSMN0R9-25YLD

N-channel 25 V, 0.85 mΩ, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 TechnologyProduction
开关脉冲晶体管
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