奈纳半导体有限公司
特点
•
•
•
•
保护环保护
低正向压降
高浪涌电流能力
高达100V的电压V
RRM
MBR12045CT通
MBR120100CTR
硅肖特基二极管， 120A
双塔套餐
最大额定值
(T
J
= 25
o
C除非另有说明）
参数
重复峰值
反向电压
RMS反向电压
阻断电压DC
平均正向
当前
不重复
正向浪涌
目前，半正弦
WAVE
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
T
C
≤ 140
o
C
T
C
= 25
o
C
t
p
= 8.3毫秒
条件
MBR12045CT
(R)
45
32
45
120
MBR12060CT MBR12080CT
(R)
(R)
60
42
60
120
80
56
80
120
MBR120100C
T（ R）
100
70
100
120
单位
V
V
V
A
I
FSM
800
800
800
800
A
电气特性
(T
J
= 25
o
C除非另有说明）
参数
DC正向电压
符号
V
F
条件
I
F
= 60 A
T
J
= 25
o
C
V
R
= 20 V
T
J
= 25
o
C
V
R
= 20 V
T
J
= 125
o
C
MBR12045CT
(R)
0.68
3
200
MBR12060CT
(R)
0.75
3
200
MBR12080CT
(R)
0.86
3
200
MBR120100C
T（ R）
0.86
3
mA
200
单位
V
DC反向电流
I
R
热特性
(T
J
= 25
o
C除非另有说明）
参数
热阻
结到外壳
经营，储存
温度范围
符号
R
THJ -C
T
J
,
T
英镑
MBR12045CT
(R)
0.8
- 40〜 +175
MBR12060CT
(R)
0.8
- 40〜 +175
MBR12080CT
(R)
0.8
- 40〜 +175
MBR120100C
T（ R）
0.8
- 40〜 +175
单位
o
C / W
o
C
1
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