奈纳半导体有限公司
emiconductor
不
非隔离晶闸管模块
特点
•
•
•
•
•
低压三相
对2500A @ 60Hz的高浪涌电流
施工方便
非隔离
安装底座为共阳极
130NT3
电压额定值
(T
C
= 25
O
C除非另有说明）
参数
最大重复峰值
反向电压
最大非重复性
峰值反向电压
最大重复峰值
断态电压
符号
V
RRM
V
RSM
V
DRM
值
300
360
300
单位
V
V
V
NT3
电气特性
(T
C
= 25
O
C除非另有说明）
参数
平均通态电流
均方根通态电流
通态浪涌电流
余吨需要融合
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值电流
峰值栅极电压（正向）
峰值栅极电压（反向）
通态电流临界上升率
断态电压临界上升率
保持电流
I
0
=的200mA， V
0
= �½ V
DRM
，二
G
/ DT = 1
A / μs的
0
2/3
T
J
= 150℃ ，V
0
= V
DRM
，指数
WAVE
2
条件
单相半
半波， 180
0
导@ T
C
= 116 C
0
符号
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
It
P
GM
P
GM（ AV ）
I
GM
VFGM
VRGM
的di / dt
dv / dt的
I
H
2
值
130
204
3300
51500
10
1
3
10
5
50
50
70
单位
A
A
A
AS
W
W
A
V
V
A / μs的
V / μs的
mA
2
半周期，50赫兹/ 60赫兹，峰值，
不重复
重复
热&机械规格
(T
C
= 25
O
C除非另有说明）
参数
工作结温范围
存储温度范围
热阻，结到外壳
符号
T
J
T
英镑
R
TH （JC）
值
-30至+150
-30到+125
0.25
单位
0
0
C
0
C
C / W
1
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0120
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