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AQV214AZ 参数 Datasheet PDF下载

AQV214AZ图片预览
型号: AQV214AZ
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内容描述: GU (一般使用)类型[1通道( A型)类型] [GU (General Use) Type [1-Channel (Form A) Type]]
分类和应用: 光电输出元件
文件页数/大小: 4 页 / 56 K
品牌: NAIS [ NAIS(MATSUSHITA ELECTRIC WORKS) ]
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(标准型)
检测
VDE
(加强型)
GU (一般使用)类型
[ 1通道( A型)类型]
PhotoMOS
继电器
6.稳定的导通电阻
7.低层次的关闭状态泄漏电流
8.无需采用一个功率支持
帘布层,以驱动功率MOSFET
的电源,用于驱动功率
MOSFET是因为不必要的
内置的光电器件。这导致
在易于电路设计和小印刷电路板
区。
9.低热电动势
(约1
µ
V)
特点
8.8±0.05
.346±.002
6.4±0.05
.252±.002
3.9±0.2
.154±.008
6.4±0.05
.252±.002
3.6±0.2
.142±.008
8.8±0.05
.346±.002
mm
1
2
3
6
5
4
1.控制低电平模拟信号
PhotoMos继电器的极低
闭路偏置电压,使
的低电平模拟信号的控制,而不
失真。
2.控制与低电平输入信号
3,控制各种类型的负载,对
如继电器,电机,灯具及电磁铁
noids 。
4.光学耦合极高
隔离
与机械式继电器, PhotoMOS
继电器结合了LED和光电
使用光设备传输信号
非常高的隔离。
5.无需采用一个计数器
在电动势保护二极管
在输入侧的驱动电路
典型应用
•高速检测机
•电话设备
•数据通讯设备
•电脑
类型
产品型号
额定输出功率*
TYPE
I / O隔离
负载
电压
60V
100 V
交流/直流
标准的1500 V AC
200 V
350 V
400 V
600 V
400 V
负载
当前
400毫安
320毫安
180毫安
130毫安
120毫安
50毫安
120毫安
通孔
终奌站
管包装风格
AQV212
AQV215
AQV217
AQV210
AQV214
AQV216
AQV214H
AQV212A
AQV215A
AQV217A
AQV210A
AQV214A
AQV216A
AQV214HA
表面贴装端子
磁带和卷轴包装风格
从该精选拾取
1/2/ 3针端
4/5/ 6针端
AQV212AX
AQV212AZ
AQV215AX
AQV217AX
AQV210AX
AQV214AX
AQV216AX
AQV214HAX
AQV215AZ
AQV217AZ
AQV210AZ
AQV214AZ
AQV216AZ
AQV214HAZ
1管中含有
50个。
1批包含
500件。
1000个。
包装数量
磁带和卷轴
钢筋5000 V
*指明峰值AC和DC值。
注:由于篇幅原因,封装类型指标"X"和"Z"从密封省略。
等级
1.绝对最大额定值(环境温度: 25
°
C
77
°
F)
LED正向电流
LED反向电压
最大正向电流
功耗
负载电压(峰值AC)
产量
连续负载
当前
峰值负载电流
功耗
总功耗
I / O隔离电压
温度
范围
操作
存储
类型
对称
备注
连接AQV212 ( A) AQV215 ( A) AQV217 ( A) AQV210 ( A) AQV214 ( A) AQV216 ( A)
AQV214H(A)
BOL
50毫安
I
F
V
R
3V
I
FP
1A
F = 100Hz时,占空比系数= 0.1 %
P
in
75毫瓦
60 V
100 V
200 V
350 V
400 V
600 V
400 V
V
L
A
0.40 A
0.32 A
0.18 A
0.13 A
0.12 A
0.05 A
0.12 A
连接:峰值AC, DC ;
I
L
B
0.60 A
0.42 A
0.22 A
0.15 A
0.13 A
0.06 A
0.13 A
B,C连接: DC
C
0.80 A
0.60 A
0.30 A
0.17 A
0.15 A
0.08 A
0.15 A
连接: 100毫秒( 1拍) ,
1.2 A
0.96 A
0.54 A
0.4 A
0.3 A
0.15 A
0.3 A
I
PEAK
V
L
ΔDC
P
OUT
500毫瓦
P
T
550毫瓦
V
ISO
T
OPR
T
英镑
1500 V AC
–40
°
C至+ 85
°
C
–40
°
F到185
°
F
–40
°
C至+100
°
C
–40
°
F到212
°
F
非冷凝在低温。
50
输入