AQV221NA 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AQV221NA
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内容描述：	RF （射频）输入低C和R [RF (Radio Frequency) Type Low C and R]
分类和应用：	射频
文件页数/大小：	4 页 / 55 K
品牌：	NAIS [ NAIS(MATSUSHITA ELECTRIC WORKS) ]

BSI

PENDING

RF（射频）型

低C和R

PhotoMOS

继电器

典型应用

测量和测试仪器

1.测试设备半导体

性能

IC测试仪，液晶驱动器测试仪，

半导体性能测试仪

2.板测试仪

熊板测试仪，在线测试仪，

功能测试仪

3.医疗设备

超声波诊断机

4.多点记录仪

（翘曲，热电偶）

特点

8.8±0.05

.346±.002

6.4±0.05

.252±.002

3.6±0.2

.142±.008

8.8±0.05

.346±.002

6.4±0.05

.252±.002

3.9±0.2

.154±.008

寸

1.与低输出电容

输出端子和低导通电阻

tance

2.高速开关（开启时间：

（典型值）。 200

3.高灵敏度

控制负荷高达250mA的输入电流

租金5毫安

4.低层次的关闭状态泄漏电流

固态继电器的断开状态泄漏电流

几毫安，其中，作为本

PhotoMOS继电器只有20PA （典型值）

即使在额定负载电压

5.控件低电平模拟信号

工艺，PhotoMos继电器具有非常低

闭路偏置电压，使

的低电平模拟信号的控制，而不

失真

6.低的热电动势

（约1

类型

产品型号

额定输出功率*

TYPE

负载

电压

负载

当前

通孔

终奌站

管包装风格

表面贴装端子

磁带和卷轴包装风格

从采摘

1/2/ 3针端

4/5/ 6针端

AQV221NAX

AQV221NAZ

包装数量

管

1管中含有

50个。

1批包含

500件。

磁带和卷轴

AC / DC型

40 V

150毫安

AQV221N

AQV221NA

1000个。

*指明峰值AC和DC值。

注：由于篇幅原因，封装类型指标"X"和"Z"从密封省略。

等级

1.绝对最大额定值（环境温度： 25

项

LED正向电流

LED反向电压

最大正向电流

功耗

负载电压（峰值AC）

连续负载电流

峰值负载电流

功耗

总功耗

I / O隔离电压

操作

温度

范围

存储

类型

符号连接

化

产量

PEAK

OUT

ISO

OPR

英镑

AQV221N(A)

50毫安

75毫瓦

40 V

0.15 A

0.18 A

0.25 A

0.45 A

360毫瓦

410毫瓦

1500 V AC

–40

C至+ 85

–40

F到185

–40

C至+100

–40

F到212

备注

输入

F = 100Hz时，占空比系数= 0.1 ％

连接：峰值AC， DC

B，C连接： DC

连接： 100毫秒（ 1拍），V

= DC

非冷凝在低温下

145

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