（标准型）
检测
VDE
（加强型）
GU （一般使用） -E型
[ 1通道（ B型）型]
PhotoMOS
继电器
4.低层次的关闭状态泄漏电流
固态继电器的断开状态泄漏电流
几毫安，而光子
TOMOS继电器只有100 pA的，即使
400 V的额定负载电压
(AQV414E).
5.加强绝缘5000 V型
也可提供。
大于0.4mm内部绝热显示
输入和输出之间的距离。 CON-
形式EN41003 ， EN60950 （钢筋
保温） 。
,
,
8.8±0.05
.346±.002
6.4±0.05
.252±.002
3.9±0.2
.154±.008
8.8±0.05
.346±.002
,
,
常闭型的横截面
功率MOS
6.4±0.05
.252±.002
钝化膜
中间
源电极栅电极
绝缘
膜
门
氧化
膜
3.6±0.2
.142±.008
N
+
P
+
N
+
N
+
P
+
N
+
N–
mm
寸
漏
电极
1
2
3
N
+
6
5
4
特点
1.低导通电阻的normally-
封闭式
这已被实现得益于内置
在MOSFET通过我们的专有处理
法， DSD （双扩散和硒
选修兴奋剂）方法。
2.控制低电平模拟信号
PhotoMos继电器的极低
闭路偏置电压，使
的低电平模拟信号的控制，而不
失真。
3.高灵敏度，低导通电阻
可以控制最大0.13负载电流
租了500 mA的输入电流。低导重
18 sistance
Ω
（ AQV410EH ） 。稳定
操作，因为没有金属
接触部位。
典型应用
•安全设备
• Telepone设备（拨号脉冲）
•测量设备
类型
产品型号
额定输出功率*
TYPE
I / O隔离
电压
通孔
终奌站
管包装风格
AQV414E
AQV410EH
AQV414EH
AQV414EA
AQV410EHA
AQV414EHA
表面贴装端子
磁带和卷轴包装风格
从该精选拾取
1/2/ 3针端
4/5/ 6针端
AQV414EAX
AQV410EHAX
AQV414EHAX
AQV414EAZ
AQV410EHAZ
AQV414EHAZ
包装数量
负载
电压
400 V
350 V
400 V
负载
当前
120毫安
130毫安
120毫安
管
1管中含有
50个。
1批包含
500件。
磁带和卷轴
交流/直流
TYPE
1500 V AC
（标准）
5000 V AC
（增强）
1000个。
*指明峰值AC和DC值。
注：由于篇幅原因，封装类型指标"X"和"Z"从密封省略。
等级
1.绝对最大额定值（环境温度： 25
°
C
77
°
F)
项
LED正向电流
LED反向电压
峰值电流forwrd
功耗
负载电压（峰值AC）
连续负载电流
产量
峰值负载电流
功耗
总功耗
I / O隔离电压
温度
范围
操作
存储
I
PEAK
P
OUT
P
T
V
ISO
T
OPR
T
英镑
符号
I
F
V
R
I
FP
P
in
V
L
I
L
A
B
C
类型
连接
AQV414E(A)
AQV410EH （ A） AQV414EH （ A）
50毫安
3V
1A
75毫瓦
350 V
0.13 A
0.15 A
0.17 A
0.4 A
500毫瓦
550毫瓦
5000 V AC
备注
输入
F = 100Hz时，占空比系数= 0.1 ％
400 V
0.12 A
0.13 A
0.15 A
0.3 A
400 V
0.12 A
0.13 A
0.15 A
0.3 A
连接：峰值AC， DC
B，C连接： DC
连接： 100毫秒（ 1拍） ，
V
L
= DC
1500 V AC
5000 V AC
非冷凝在低温
温度
–40
°
C至+ 85
°
C
–40
°
F到185
°
F
–40
°
C至+100
°
C
–40
°
F到212
°
F
125
NAIS [ NAIS(MATSUSHITA ELECTRIC WORKS) ]
