AQY221N2S
RF（射频）
C
（通过）
R 10型
×
特点
4.3±0.2
.169±.008
4.4±0.2
.173±.008
2.1±0.2
.083±.008
UL
PENDING
CSA
PENDING
PhotoMOS
继电器
典型应用
测量和测试仪器
1.测试设备半导体
性能
IC测试仪，液晶驱动器测试仪，
半导体性能测试仪
2.板测试仪
熊板测试仪，在线测试仪，
功能测试仪
3.医疗设备
超声波诊断机
4.多点记录仪
翘曲，热电偶
mm
寸
1.除了较低的输出电容
终端比以往的tance
前， PhotoMOS继电器实现
低导通电阻。
输出电容（ C） ： 1.0pF （典型值）。
导通电阻（R）： 9.5
Ω
（典型值）。
2.高速开关
开启时间： 30
µ
s
关闭时间： 30
µ
s
3. SO封装在超MIN- 4针型
iature设计
4.低层次的关闭状态泄漏电流
固态继电器的断开状态泄漏电流
几毫安，其中，作为本
PhotoMOS继电器只为10pA （典型值）
即使在额定负载电压
5.控件低电平模拟信号
6.低的热电动势
（约1
µ
V)
类型
电路
安排
1 A型
TYPE
交流/直流
额定输出功率*
负载
负载
电压
当前
40 V
120毫安
磁带和卷轴包装风格
从该精选拾取
1月2日引脚端
四分之三针端
AQY221N2SX
AQY221N2SZ
包装数量
在磁带和卷轴
1000个。
*指明峰值AC和DC值。
注：（ 1 ）带包是标准的包装风格。此外，在管可用。
（零件号： SUF网络X“ X”或“Z”是不是在订货时需要;管： 100个;案例： 2000个）
（2）由于空间原因，产品编号“ AQY和S ” ，包类型指示符的“X”和“Z”的首字母被从密封件被删去。
等级
1.绝对最大额定值
（环境温度： 25℃
77°F)
项
LED正向电流
输入
LED反向电压
最大正向电流
功耗
负载电压（峰值AC）
产量
连续负载电流
峰值负载电流
功耗
总功耗
I / O隔离电压
温度
范围
操作
存储
符号
I
F
V
R
I
FP
P
in
V
L
I
L
I
PEAK
P
OUT
P
T
V
ISO
T
OPR
T
英镑
AQY221N2S
50mA
3V
1A
75mW
40V
0.12A
0.30A
300mW
350mW
1,500V AC
-40 ° C至+ 85°C
-40°F至+ 185 °F。
-40 ° C至+ 100°C
-40°F至+ 212 °F。
非冷凝在低温下
峰值AC， DC
100毫秒（ 1拍） ， VL = DC
F = 100Hz时，占空比系数= 0.1 ％
备注
544
NAIS [ NAIS(MATSUSHITA ELECTRIC WORKS) ]
