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AQY410EH 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AQY410EH
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内容描述: GU (一般使用) -E类型1-Channel ( B型) 4针型 [GU (General Use)-E Type 1-Channel (Form B) 4-pin Type]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 49 K
品牌: NAIS [ NAIS(MATSUSHITA ELECTRIC WORKS) ]
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AQY41
r
EH
GU (一般使用) -E型
1通道( B型)
4针型
特点
4.78
.188
6.4
.252
3.2
.126
检测
PhotoMOS
继电器
3.紧凑型4针DIP大小
该器件采用紧凑型
(W)6.4
×
(L)4.78
×
(H)3.2mm
(W).252
×
(L).188
×
(H).126inch,
4引脚DIP
SIZE
4.控制低电平模拟信号
PhotoMos继电器的极低
闭路偏置电压,使
的低电平模拟信号的控制,而不
失真。
5.高灵敏度,低导通电阻
可以控制最大0.13负载电流
租了500 mA的输入电流。低导重
18 sistance
( AQY410EH ) 。稳定
操作,因为没有金属
接触部位。
6.低层次的关闭状态泄漏电流
4.78
.188
6.4
.252
2.9
.114
mm
1.低导通电阻的normally-
封闭式
这已被实现得益于内置
在MOSFET通过我们的专有处理
法, DSD (双扩散和硒
选修兴奋剂)方法。
常闭型的横截面
功率MOS管
常闭型的横截面
功率MOS







,
4
钝化膜
中间
源电极栅电极
绝缘
氧化
1


,



,
2
3
N
+
P
+
N
+
N
+
P
+
N
+
N–
电极
N
+
2.加强绝缘5000 V型
大于0.4mm内部绝热显示
输入和输出之间的距离。 CON-
形式EN41003 , EN60950 (钢筋
保温) 。
典型应用
•调制解调器
•电话设备
•安全设备
•传感器
类型
TYPE
产品型号
额定输出功率*
I / O隔离
电压
负载
电压
交流/直流
TYPE
增强
5,000 V
350 V
400 V
负载
当前
130毫安
120毫安
通孔
终奌站
管包装风格
AQY410EH
AQY414EH
AQY410EHA
AQY414EHA
表面贴装端子
磁带和卷轴包装风格
从采摘
1月2日引脚端
AQY410EHAX
AQY414EHAX
从采摘
四分之三针端
AQY410EHAZ
AQY414EHAZ
包装数量
磁带和
REEL
1管含有100个。
1000个。
1批包含1000个。
*指明峰值AC和DC值。
注:由于篇幅的原因,在产品数量"AQY"的首字母,将SMD终端形态指标"A"和封装类型指示"X"和"Z"从省略
印章。
等级
1.绝对最大额定值(环境温度: 25
°
C
77
°
F)
LED正向电流
输入
LED反向电压
最大正向电流
功耗
符号
I
F
V
R
I
FP
P
in
V
L
I
L
I
PEAK
P
OUT
P
T
V
ISO
T
OPR
T
英镑
350 V
0.13 A
0.4 A
AQY410EH ( A)
50毫安
3V
1A
75毫瓦
400 V
0.12 A
0.3 A
F = 100Hz时,占空比系数= 0.1 %
AQY414EH ( A)
备注
负载电压(峰值AC)
连续负载电流
产量
峰值负载电流
功耗
总功耗
I / O隔离电压
工作温度
范围
存储
100毫秒( 1拍) ,V
L
= DC
500毫瓦
550毫瓦
5000 V AC
–40
°
C至+ 85
°
C
–40
°
F到185
°
F
–40
°
C至+100
°
C
–40
°
F到212
°
F
非冷凝在低温下
122