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RP1-5V 参数 Datasheet PDF下载

RP1-5V图片预览
型号: RP1-5V
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内容描述: LOW PROFILE高频继电器 [LOW PROFILE HIGH FREQUENCY RELAY]
分类和应用: 继电器光电二极管PC
文件页数/大小: 4 页 / 80 K
品牌: NAIS [ NAIS(MATSUSHITA ELECTRIC WORKS) ]
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LOW PROFILE高
高频继电器
RP-继电器
10.6
.417
9
.748
4
.157
•高频继电器具有4mm的低轮廓
0.157英寸
•卓越的高频特性
隔离:最小。 10分贝(在1.8GHz )
插入损耗:最大。 1.0分贝( 1.8千兆赫)
V.S.W.R :马克斯。 1.3(在1.8千兆赫)
•在小尺寸高灵敏度
尺寸: 10.6
×
9
×
4 mm
.417
×
.354
×
0.157英寸
额定消耗功率: 140毫瓦
mm
特定网络阳离子
联系
安排
触点材料
活动
1 C型
银合金
金包银
50 mΩ
0.1 A 30 V DC
联系方式开关电源: 1 W
(最大1.8 GHz的) ;联系方式承载
功率: 3 W (最大1.2 GHz的)
1 W (最大1.8 GHz的)
分钟。 15分贝(在1 GHz )
分钟。 10分贝(在1.8GHz )
马克斯。 0.5分贝(在1 GHz )
马克斯。 1分贝(在1.8GHz )
马克斯。 1.2 (在1 GHz )
马克斯。 1.3(在1.8千兆赫)
5×10
6
10
5
( 0.1 A 30 V DC )
10
5
在1.8GHz ( 1瓦;
V.S.W.R :最大。 1.3 )
特征
马克斯。运行速度(额定负载)
初始绝缘电阻*
1
20 CPM
分钟。 1000 MΩ 500 V DC
750 Vrms的1分钟。
1500 Vrms的1分钟。
最大。 3毫秒
(约1.5毫秒)
最大。 2毫秒
(约1毫秒)
马克斯。 50 ° Cwith线圈额定
整个线圈和电压
额定分断能力
静止的
初始接触电阻,最大值
(通过电压下降6 V DC 0.1 A )
额定开关
ING能力
开触点之间的初始破裂
电压*
2
触点与线圈之间
工作时间*
3
(在额定电压下)
释放时间(无二极管) *
3
(在额定电压下)
温升
功能*
4
破坏性*
5
功能*
6
有害
条件操作,
运输和仓储
环境温度。
等级
隔离
高频
特征
(阻抗50Ω )
插入损耗
V.S.W.R.
机械
(在180的cpm )
电动
(在20的cpm )
耐冲击性
分钟。 500米/ s的
2
{50 G}
分钟。千米/秒
2
{100 G}
10到55赫兹
以3毫米双振幅
10到55赫兹
以5mm双振幅
-40C至70C
-40 °F至158 °F
5〜85 %相对湿度
约。 1克
0.04盎司
振动
阻力
预期寿命
(最小操作
系统蒸发散)
线圈(在25℃下,
68°F)
电压类型
1.5〜 12 V DC
24 V DC
额定消耗功率
140毫瓦
270毫瓦
(不结冰和凝露
湿度
在低温下)
单位重量
备注
*特定连接的阳离子会随着国外标准CERTI网络阳离子评级。
*
1
测量在相同的位置“初始击穿电压”部分
*
2
检测电流: 10毫安
*
3
不含触点弹跳
*
4
为11ms ,检测时间:正弦波半波脉冲为10μs
*
5
正弦半波脉冲: 6ms的
*
6
检测时间: 10微秒
典型应用
•天线的移动电话交换
•切换测量设备的信号
订购信息
恩。 RP
1
H
3V
联系安排
1 :1的C型
端子形状
无:标准PC板端子
H:自铆终端
线圈电压(DC)的
1.5, 3, 4.5, 5, 6, 9, 12, 24 V
注:标准包装;外箱: 50个。区分1000个。
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