纳安解决方案公司
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N01L1618N1A
1MB超低功耗异步SRAM CMOS
64K × 16位
概观
该N01L1618N1A是一个集成的内存
含有1兆位静态随机存取装置
内存16位组织为65,536字。该
设备的设计和制造使用
纳安先进的CMOS技术
同时提供的高速性能和超低
力。该器件采用单芯片
使能（ CE）控制和输出使能（ OE ）来
使其易于扩展内存。控制字节
（ UB和LB ）允许上部和下部字节是
单独访问。该N01L1618N1A是
最适合于各种应用，其中低功率是
如备用电池和手持临界
设备。该设备可以在非常宽的操作
温度范围-40
o
C至+ 85
o
C和是
在兼容JEDEC标准封装
与其他标准的64Kb的×16的SRAM 。
特点
•单宽电源电压范围
1.65〜 2.2伏特
- 极低的待机电流
0.5μA ，在1.8V （典型值）
•极低的工作电流
在1.8V和1μs的0.7毫安（典型值）
•非常低的页面模式工作电流
在1.8V和1μs的0.5毫安（典型值）
•简单的存储控制
单芯片使能（ CE ）
字节控制独立字节操作
输出使能（ OE ）的内存扩展
- 低电压数据保留
VCC = 1.2V
•非常快的输出使能存取时间
OE为30ns存取时间
•自动关机进入待机模式
• TTL兼容的三态输出驱动器
•紧凑节省空间的BGA封装可用
ABLE
产品系列
产品型号
N01L1618N1AB
N01L1618N1AT
N01L1618N1AB2
套餐类型
48 - BGA
44 - TSOP II
48 - BGA绿色
为70ns @ 1.8V
-40
o
C至+ 85
o
ç 1.65V - 2.2V 85ns @ 1.65V
0.5
µA
0.7毫安@
1MHz
操作
动力
温度电源（ VCC）
速度
待机
操作
电流（I
SB
） ，电流（ Icc的） ，
典型
典型
N01L1618N1AT2 44 - TSOP II绿
销刀豆网络gurations
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
VCC
VSS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
针
一
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
UB
LB
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
VSS
VCC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
2
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
3
A
0
A
3
A
5
NC
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
NC
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
引脚说明
引脚名称
A
0
-A
15
WE
CE
OE
LB
UB
I / O
0
-I / O
15
NC
V
CC
V
SS
引脚功能
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
输出使能输入
低字节使能输入
高字节使能输入
数据输入/输出
没有连接
动力
地
N01L1618N1A
TSOP
I / O
14
I / O
13
I / O
15
NC
NC
A
8
48引脚BGA （上）
6毫米x 8毫米
（ DOC ＃ 14-02-009 F版ECN ＃ 01-0995 ）
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
1
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