纳安解决方案公司
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N02L083WC2A
2MB超低功耗异步SRAM CMOS
256K × 8位
概观
该N02L083WC2A是一个集成的内存
含有2兆比特静态随机存取装置
内存由8位， 262,144字。该
设备的设计和制造使用
纳安先进的CMOS技术
同时提供的高速性能和超低
力。该器件采用双芯片使能
（ CE1和CE2 ）控制和输出使能（ OE ）来
使其易于扩展内存。该
N02L083WC2A最适合各种应用
其中，低功耗是作为备用电池等关键
和手持设备。该装置可进行操作
在-40一个很宽的温度范围
o
C到
+85
o
C和在JEDEC标准可用
包装与其它标准256Kb的X兼容
8 SRAM的
特点
•单宽电源电压范围
2.3至3.6伏特
- 极低的待机电流
2.0μA在3.0V （典型值）
•极低的工作电流
在3.0V和1μs的2.0毫安（典型值）
•非常低的页面模式工作电流
在3.0V和1μs的0.8毫安（典型值）
•简单的存储控制
双芯片使（ CE1和CE2 ）
输出使能（ OE ）的内存扩展
- 低电压数据保留
VCC = 1.8V
•非常快的输出使能存取时间
OE为30ns存取时间
•自动关机进入待机模式
• TTL兼容的三态输出驱动器
产品系列
产品型号
N02L083WC2AT
N02L083WC2AN
套餐类型
32 - TSOP I
32 - STSOP我
2
µA
2毫安@ 1MHz的
操作
动力
温度电源（ VCC）
速度
待机
操作
电流（I
SB
） ，电流（ Icc的） ，
典型
典型
55ns @ 2.7V
-40
o
C至+ 85
o
Ç 2.3V - 3.6V为70ns @ 2.3V
N02L083WC2AT2 32 - TSOP I绿
N02L083WC2AN2 32 - STSOP我绿
引脚配置
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
V
CC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
V
SS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
引脚说明
引脚名称
A
0
-A
17
WE
CE1 ， CE2
OE
I / O
0
-I / O
7
V
CC
V
SS
引脚功能
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
输出使能输入
数据输入/输出
动力
地
N02L083WC2A
STSOP -Ⅰ ， TSOP-我
（ DOC ＃ 14-02-015 REV ê ECN ＃ 01-0998 ）
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
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