纳安解决方案公司
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N02L1618C1A
超前信息
2MB超低功耗异步SRAM CMOS
128Kx16位
概观
该N02L1618C1A是一个集成的内存
含有2兆比特静态随机存取装置
内存16位组织为131,072字。
该设备设计和制造使用
纳安先进的CMOS技术
同时提供的高速性能和超低
力。基部设计是一样的
纳安的N02L163WN1A ，它被加工成
工作在更高的电压。该器件的工作
与单个芯片使能（CE ）控制和输出
使能（OE ），以允许容易地扩展内存。
字节控制（ UB和LB ）允许的上限和
低字节到单独访问。该
N02L1618C1A最适合各种应用
其中，低功耗是作为备用电池等关键
和手持设备。该装置可进行操作
在-40一个很宽的温度范围
o
C到
+85
o
C和在JEDEC标准可用
包装与其它标准128KB X兼容
16的SRAM 。
特点
•单宽电源电压范围
1.65〜 2.2伏特
- 极低的待机电流
0.5μA ，在1.8V （典型值）
•极低的工作电流
在1.8V和1μs的1.4毫安（典型值）
•非常低的页面模式工作电流
在1.8V和1μs的0.5毫安（典型值）
•简单的存储控制
单芯片使能（ CE ）
字节控制独立字节操作
输出使能（ OE ）的内存扩展
- 低电压数据保留
VCC = 1.2V
•非常快的输出使能存取时间
OE为30ns存取时间
•自动关机进入待机模式
• TTL兼容的三态输出驱动器
•紧凑节省空间的BGA封装可用
ABLE
产品系列
产品型号
N02L1618C1AB
套餐类型
48 - BGA
-40
o
C至+ 85
o
ç 1.65V - 2.2V
70 / 85ns @
1.65V
10
µA
3毫安@ 1MHz的
操作
温度
动力
供应
（ Vcc的）
速度
待机
操作
电流（I
SB
） ，电流（ Icc的） ，
最大
最大
N02L1618C1AB2绿48 -BGA
N02L1618C1AT2绿44 TSOP2
N02L1618C1AT
44 - TSOP2
（ DOC ＃ 14-02-012 REV B ECN ＃ 01-1274 ）
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
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