欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

N02L163WN1AB1 参数 Datasheet PDF下载

N02L163WN1AB1图片预览
型号: N02L163WN1AB1
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 2MB超低功耗异步SRAM CMOS [2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 264 K
品牌: NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
 浏览型号N02L163WN1AB1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号N02L163WN1AB1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号N02L163WN1AB1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号N02L163WN1AB1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号N02L163WN1AB1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号N02L163WN1AB1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号N02L163WN1AB1的Datasheet PDF文件第9页浏览型号N02L163WN1AB1的Datasheet PDF文件第10页  
纳安解决方案公司
时序测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
工作温度
N02L163WN1A
0.1V
CC
0.9 V
CC
5ns
0.5 V
CC
CL = 30pF的
-40至+85
o
C
定时
读周期时间
地址访问时间
芯片使能到输出有效
输出使能到输出有效
字节选择有效输出
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
字节选择低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
字节选择Disable输出高阻态
从地址变更输出保持
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
字节选择要写入的结束
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间
写入输出高阻态
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入低-Z输出
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LB
, t
UB
t
LZ
t
OLZ
t
LBZ
, t
UBZ
t
HZ
t
OHZ
t
LBHZ
, t
UBHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AW
t
LBW
, t
UBW
t
WP
t
AS
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
40
0
10
10
5
10
0
0
0
10
70
50
50
50
40
0
0
20
35
0
10
20
20
20
2.3 - 3.6 V
分钟。
70
70
70
35
35
10
5
10
0
0
0
10
55
40
40
40
40
0
0
20
20
20
20
马克斯。
2.7 - 3.6 V
分钟。
55
55
55
30
30
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
( DOC # 14-02-014 REV L ECN # 01-1000 )
此设备的规格如有变更,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.nanoamp.com 。
6