纳安解决方案公司
1982年Zanker路，圣何塞，加利福尼亚95112
电话： 408-573-8878 ，传真： 408-573-8877
www.nanoamp.com
N02L163WN1A
2MB超低功耗异步SRAM CMOS
128K × 16位
概观
该N02L163WN1A是一个集成的内存
含有2兆比特静态随机存取装置
内存16位组织为131,072字。
该设备设计和制造使用
纳安先进的CMOS技术
同时提供的高速性能和超低
力。该器件采用单芯片
使能（ CE）控制和输出使能（ OE ）来
使其易于扩展内存。控制字节
（ UB和LB ）允许上部和下部字节是
单独访问。该N02L163WN1A是
最适合于各种应用，其中低功率是
如备用电池和手持临界
设备。该设备可以在非常宽的操作
温度范围-40
o
C至+ 85
o
C和是
在兼容JEDEC标准封装
与其他标准的128KB ×16的SRAM 。
特点
•单宽电源电压范围
2.3至3.6伏特
- 极低的待机电流
2.0μA在3.0V （典型值）
•极低的工作电流
在3.0V和1μs的2.0毫安（典型值）
•非常低的页面模式工作电流
在3.0V和1μs的0.8毫安（典型值）
•简单的存储控制
单芯片使能（ CE ）
字节控制独立字节操作
输出使能（ OE ）的内存扩展
- 低电压数据保留
VCC = 1.8V
•非常快的输出使能存取时间
OE为30ns存取时间
•自动关机进入待机模式
• TTL兼容的三态输出驱动器
•紧凑节省空间的BGA封装可用
ABLE
产品系列
产品型号
N02L163WN1AB
N02L163WN1AT
N02L163WN1AB1
N02L163WN1AT2
套餐类型
48 - BGA
44 - TSOP II
48 - BGA无铅
44 - TSOP II绿
55ns @ 2.7V
-40
o
C至+ 85
o
Ç 2.3V - 3.6V为70ns @ 2.3V
2
µA
2毫安@ 1MHz的
操作
温度
动力
供应
（ Vcc的）
速度
待机
操作
电流（I
SB
） ，电流（ Icc的） ，
典型
典型
（ DOC ＃ 14-02-014 REV L ECN ＃ 01-1000 ）
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
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