纳安解决方案公司
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N04L1618C2A
4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS
256Kx16位
概观
该N04L1618C2A是一个集成的内存
含有4兆位静态随机存取装置
内存16位组织为262,144字。
该设备设计和制造使用
纳安先进的CMOS技术
同时提供的高速性能和超低
力。基部设计是一样的
纳安的N04L163WC1A ，它被加工成
工作在更高的电压。该器件的工作
两个芯片使能（ CE1和CE2 ）控制和
输出使能（OE ） ，以便容易记忆
扩展。字节控制（ UB和LB ）允许
上部和下部的字节将被访问
独立地，也可以用来取消
该设备。该N04L1618C2A是最佳的
各种应用中的低功耗是关键
如备用电池和手持设备。
该设备可以在非常宽的操作
温度范围-40
o
C至+ 85
o
C和是
在兼容JEDEC标准封装
与其他标准的256Kb ×16的SRAM
特点
•单宽电源电压范围
1.65〜 2.2伏特
- 极低的待机电流
0.5μA ，在1.8V （典型值）
•极低的工作电流
在1.8V和1μs的0.7毫安（典型值）
•低页面模式工作电流
在1.8V和1μs的0.5毫安（典型值）
•简单的存储控制
双芯片使（ CE1和CE2 ）
字节控制独立字节操作
输出使能（ OE ）的内存扩展
- 低电压数据保留
VCC = 1.2V
•非常快的输出使能存取时间
25ns的OE访问时间
•自动关机进入待机模式
• TTL兼容的三态输出驱动器
•紧凑节省空间的BGA封装可用
ABLE
产品系列
产品型号
套餐类型
操作
温度
动力
电源（VCC ）
速度
为70ns @ 1.8V
-40
o
C至+ 85
o
C
1.65V - 2.2V
85ns @ 1.65V
0.5
µA
0.7毫安@
1MHz
待机
操作
电流（I
SB
） ，电流（ Icc的） ，
典型
典型
N04L1618C2AB
48 - BGA
N04L1618C2AB2 48 -BGA绿
（ DOC ＃ 14-02-016版本G ECN ＃ 01-1266 ）
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
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