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N04L1618C2AB2-70I 参数 Datasheet PDF下载

N04L1618C2AB2-70I图片预览
型号: N04L1618C2AB2-70I
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内容描述: 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS 256Kx16位 [4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256Kx16 bit]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 248 K
品牌: NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
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纳安解决方案公司
订购信息
N04L1618C2A
N04L1618C2AX - XX X
温度
I =工业级, -40 ° C至85°C
性能
70 = 70ns的
套餐类型
B = 48球BGA
B2 = 48球BGA绿色(符合RoHS )
修订历史
调整
A
B
C
D
E
F
G
日期
2000年9月19日
2001年3月
五月。 2001年
2001年12月
2002年11月
2003年5月
2005年11月
变更说明
生产 - 发行
改变的BGA封装尺寸为6×8毫米,其他小修改
纠正BGA机械制图尺寸K
从EM256W16部分号码变更,修改概况及特点,增加
页面模式运行图和订货信息图,修改后能操作
阿婷特性表,包图和功能说明表
更换ISB和ICC的积家表,典型值
删除TSOP封装选项
新增绿色包装产品编号& RoHS标准
© 2003纳安解决方案, Inc.保留所有权利。
纳安解决方案公司( "NanoAmp" )保留随时更改或修改包含在此数据表中的信息,并在其中描述的产品,恕不另行通知。
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只有构成,它们会发生变化,这取决于具体的应用。
纳安不作任何保证或担保有关适用性这些产品对任何特定用途,也不纳安承担因应用程序的任何法律责任
或使用任何产品或电路的描述。纳安没有授权使用其产品作为关键部件在任何应用程序中,纳安的失败
产品的预期可能导致显著的伤害或死亡,其中包括生命支持系统和关键医疗器械。
( DOC # 14-02-016版本G ECN # 01-1266 )
此设备的规格如有变更,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.nanoamp.com 。