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N04L163WC1AB1-70I 参数 Datasheet PDF下载

N04L163WC1AB1-70I图片预览
型号: N04L163WC1AB1-70I
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内容描述: 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS [4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 265 K
品牌: NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
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纳安解决方案公司
670北麦卡锡大道。套件220 ,加利福尼亚州米尔皮塔斯95035
电话: 408-935-7777 ,传真: 408-935-7770
www.nanoamp.com
N04L163WC1A
4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS
256K × 16位
概观
该N04L163WC1A是一个集成的内存
含有4兆位静态随机存取装置
内存16位组织为262,144字。
该设备设计和制造使用
纳安先进的CMOS技术
同时提供的高速性能和超低
力。该器件采用单芯片
使能( CE)控制和输出使能( OE )来
使其易于扩展内存。控制字节
( UB和LB )允许上部和下部字节是
单独访问。该N04L163WC1A是
最适合于各种应用,其中低功率是
如备用电池和手持临界
设备。该设备可以在非常宽的操作
温度范围-40
o
C至+ 85
o
C和是
在兼容JEDEC标准封装
与其他标准的256Kb ×16的SRAM 。
特点
•单宽电源电压范围
2.3至3.6伏特
- 极低的待机电流
4.0μA在3.0V (典型值)
•极低的工作电流
在3.0V和1μs的2.0毫安(典型值)
•非常低的页面模式工作电流
在3.0V和1μs的0.8毫安(典型值)
•简单的存储控制
单芯片使能( CE )
字节控制独立字节操作
输出使能( OE )的内存扩展
- 低电压数据保留
VCC = 1.8V
•非常快的输出使能存取时间
25ns的OE访问时间
•自动关机进入待机模式
• TTL兼容的三态输出驱动器
•紧凑节省空间的BGA封装可用
ABLE
产品系列
产品型号
N04L163WC1AB
N04L163WC1AT
N04L163WC1AB1
N04L163WC1AT2
套餐类型
48 - BGA
44 - TSOP II
48 - BGA无铅
44 - TSOP II绿
-40
o
C至+ 85
o
Ç 2.3V - 3.6V为70ns @ 2.7V
4
µA
2毫安@ 1MHz的
操作
温度
动力
供应
( Vcc的)
速度
选项
待机
操作
电流(I
SB
) ,电流( Icc的) ,
典型
典型
( DOC # 14-02-018 REV我ECN # 01-1001 )
此设备的规格如有变更,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.nanoamp.com 。
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