纳安解决方案公司
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N04L163WC2A
4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS
256K × 16位
概观
该N04L163WC2A是一个集成的内存
含有4兆位静态随机存取装置
内存16位组织为262,144字。
该设备设计和制造使用
纳安先进的CMOS技术
同时提供的高速性能和超低
力。该器件采用双芯片使能
（ CE1和CE2 ）控制和输出使能（ OE ）来
使其易于扩展内存。控制字节
（ UB和LB ）允许上部和下部字节是
独立地访问，并也可用于
取消选择该设备。该N04L163WC2A是最佳
用于各种应用，其中的低功耗是关键
如备用电池和手持设备。
该设备可以在非常宽的操作
温度范围-40
o
C至+ 85
o
C和是
在兼容JEDEC标准封装
与其他标准的256Kb ×16的SRAM
特点
•单宽电源电压范围
2.3至3.6伏特
- 极低的待机电流
4.0μA在3.0V （典型值）
•极低的工作电流
在3.0V和1μs的2.0毫安（典型值）
•非常低的页面模式工作电流
在3.0V和1μs的0.8毫安（典型值）
•简单的存储控制
双芯片使（ CE1和CE2 ）
字节控制独立字节操作
输出使能（ OE ）的内存扩展
- 低电压数据保留
VCC = 1.8V
•非常快的输出使能存取时间
25ns的OE访问时间
•自动关机进入待机模式
• TTL兼容的三态输出驱动器
•紧凑节省空间的BGA封装可用
ABLE
产品系列
产品型号
N04L163WC2AB
N04L163WC2AT
N04L163WC2AB2
N04L163WC2AT2
套餐类型
48 - BGA
44 - TSOP II
48 - BGA绿色
44 - TSOP II绿
-40
o
C至+ 85
o
Ç 2.3V - 3.6V为70ns @ 2.7V
4
µA
2毫安@ 1MHz的
操作
温度
动力
供应
（ Vcc的）
速度
选项
待机
操作
电流（I
SB
） ，电流（ Icc的） ，
典型
典型
（ DOC ＃ 14-02-017版本G ECN ＃ 01-1268 ）
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
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