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N04Q1612C2BW-15C 参数 Datasheet PDF下载

N04Q1612C2BW-15C图片预览
型号: N04Q1612C2BW-15C
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内容描述: 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS瓦特/双Vcc和VCCQ的终极功率降低256K 】 16位POWER SAVER技术 [4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM w/ Dual Vcc and VccQ for Ultimate Power Reduction 256K】16 bit POWER SAVER TECHNOLOGY]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 300 K
品牌: NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
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N04Q16yyC2B
纳安解决方案公司
省电与页面模式操作(WE
=
V
IH
)
超前信息
页面地址
(A0, A5-A17)
打开页面
...
字地址
(A1-A4)
WORD 1
WORD 2
16字
CE1
CE2
OE
LB , UB
注:页面模式操作寻址SRAM中保存的工作电流的方法。内部
组织SRAM的优化,以允许这种独特的运行模式被用来作为一种有价值的功率
节能功能。
需要做的仅仅是为解决对SRAM的方式,内部页面是左开
并从打开的页被读取的数据的16位字。通过将地址A1 - A4作为至少
显著比特和寻址打开的页面内的16个字,功率被减小到页面模式
值比标准工作电流为低功耗SRAM要低得多。
库存号23451 -B 2/06
该规范是超前信息,并随时更改,恕不另行通知。
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