N04Q16yyC2B
纳安解决方案公司
耗电量
(T
A
= 0
o
C - 70
o
C)
设备PN
待机电流
2
N04Q1612C2Bx-
15C
读/写电流
3
页面模式电流
ISB
ICC
ICCP
芯片已禁用
V
CC
= 1.3V, V
IN
= V
CC
或0
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=1.3V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=1.3V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片已禁用
V
CC
= 1.9V, V
IN
= V
CC
或0V
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=1.9V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=1.9V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片已禁用
V
CC
= 1.9V, V
IN
= V
CC
或0
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=1.9V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=1.9V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片已禁用
V
CC
= 2.8V, V
IN
= V
CC
或0
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
= 2.8V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
= 2.8V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片已禁用
V
CC
= 3.6V, V
IN
= V
CC
或0
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
= 3.6V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
= 3.6V, V
IN
=V
IH
或V
IL
超前信息
速度
典型值
1
50
最大
500
0.5
3
100
450
nA
mA
µA
1us
150ns
1us
150ns
0.4
2
80
300
待机电流
N04Q1618C2Bx-
15C
读/写电流
页面模式电流
ISB
ICC
ICCP
50
1us
150ns
1us
150ns
0.4
2
80
400
500
0.5
3
100
500
nA
mA
µA
待机电流
N04Q1618C2Bx-
70C
读/写电流
页面模式电流
ISB
ICC
ICCP
0.2
1us
70ns
1us
70ns
0.6
6
0.1
0.8
1.5
0.9
7
0.2
1
µA
mA
mA
待机电流
N04Q1625C2Bx-
15C
读/写电流
页面模式电流
ISB
ICC
ICCP
0.8
1us
150ns
1us
150ns
0.6
3
0.1
1.5
1.0
1.0
4
0.2
2
µA
mA
mA
待机电流
N04Q1630C2Bx-
70C
读/写电流
页面模式电流
ISB
ICC
ICCP
0.8
1us
70ns
1us
70ns
2.2
8.5
0.5
2
4
3
10
0.6
1.5
µA
mA
mA
1.典型值是在Vcc = Vcc的典型值，T测量。
A
= 25°C ，而不是100 ％测试。
2.此设备假定待机模式下，如果芯片被禁止（ CE1高或低CE2 ） 。为了实现低待机电流都
输入必须在0.2伏电压VCC或VSS的。这适用于所有ISB值。
3.此参数指定禁用，以避免外部负载效应的输出。用户必须添加的电流来驱动所需
输出电容预期在实际的系统中。这适用于所有国际刑事法院与政府间委员会价值观。
库存号23451 -B 2/06
该规范是超前信息，并随时更改，恕不另行通知。
5
NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
