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N04Q1625C2BT2-70C 参数 Datasheet PDF下载

N04Q1625C2BT2-70C图片预览
型号: N04Q1625C2BT2-70C
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内容描述: 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS瓦特/双Vcc和VCCQ的终极功率降低256K 】 16位POWER SAVER技术 [4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM w/ Dual Vcc and VccQ for Ultimate Power Reduction 256K】16 bit POWER SAVER TECHNOLOGY]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 300 K
品牌: NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
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纳安解决方案公司
670北麦卡锡大道。套件220 ,加利福尼亚州米尔皮塔斯95035
电话: 408-935-7777 ,传真: 408-935-7770
www.nanoamp.com
N04Q16yyC2B
超前信息
4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS瓦特/双
VCC和VCCQ的终极功率降低
256K × 16位POWER SAVER技术
概观
该N04Q16yyC2B是超低功耗内存
包含4兆位静态随机存取设备
内存16位组织为262,144字。
该设备设计和制造使用
纳安先进的CMOS技术
提供超低工作和待机功耗。该
器件具有两个芯片使能操作( CE1和
CE2 )控制和输出使能(OE ) ,以允许
简单的内存扩展。字节控制( UB和
LB)允许上部和下部字节是
单独访问。 4MB的SRAM是
为实现低功耗进行了优化,并
适用于各种应用,其中的超低
功率是临界的,例如医疗应用,
备用电池和电源敏感的手持式
设备。独特的页面模式运行可节省
主动操作电源和双电源供电
轨道允许非常低的电压工作,同时
保持3V I / O能力。该设备可以
工作在0很宽的温度范围
o
C
+70
o
下功耗最低,也可
在工业范围的-40
o
C至+ 85
o
C.该
器件采用标准的BGA和TSOP可用
包。该设备也可以作为
已知合格芯片( KGD )的嵌入式封装
应用程序。
特点
•多种电源范围
1.1V - 1.3V
1.65V - 1.95V
2.3V - 2.7V
2.7V - 3.6V
•双VCC / VCCQ电源
1.2V的Vcc与3V VCCQ
1.8V的Vcc与3V VCCQ
2.5V的Vcc与3V VCCQ
- 极低的待机电流
50nA典型的1.2V操作
•极低的工作电流
400μA典型的在1μs的1.2V操作
•非常低的页面模式工作电流
80μA典型的在1μs的1.2V操作
•简单的存储控制
双芯片使( CE1和CE2 )
字节控制独立字节操作
输出使能( OE )的内存扩展
•自动关机进入待机模式
• BGA , TSOP和KGD选项
•符合RoHS
产品选项
产品型号
N04Q1612C2Bx-15C
N04Q1618C2Bx-15C
N04Q1618C2Bx-70C
N04Q1625C2Bx-15C
N04Q1630C2Bx-70C
I / O
x16
x16
x16
x16
x16
典型
待机
当前
50nA
50nA
200nA
800nA
800nA
VCC
(V)
1.2
1.8
2.5
3.0
VCCQ
(V)
1.2, 1.8, 3
1.8, 2.5, 3
2.5, 3
3.0
速度
(纳秒)
150ns
150ns
70ns
150ns
70ns
典型
操作
工作电流温度
0.4毫安@ 1MHz的
0.4毫安@ 1MHz的
0.6毫安@ 1MHz的
0.6毫安@ 1MHz的
2.2毫安@ 1MHz的
0
o
C至+70
o
C
库存号23451 -B 2/06
该规范是超前信息,并随时更改,恕不另行通知。
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