纳安解决方案公司
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N08L083WC2C
超前信息
8MB超低功耗异步SRAM CMOS
1024K × 8位
概观
该N08L083WC2C是一个集成的内存
含有8兆位静态随机存取装置
内存由8位， 1,048,576字。
该设备设计和制造使用
纳安先进的CMOS技术
同时提供的高速性能和超低
力。该器件采用双芯片使能
（ CE1和CE2 ）控制和输出使能（ OE ）来
使其易于扩展内存。该
N08L083WC2C最适合各种应用
其中，低功耗是作为备用电池等关键
和手持设备。该装置可进行操作
在-40一个很宽的温度范围
o
C到
+85
o
C和在JEDEC标准可用
包装与其它标准512KB X兼容
16的SRAM
特点
•单宽电源电压范围
2.2至3.6伏特
- 极低的待机电流
2.0μA在3.0V （典型值）
•极低的工作电流
在3.0V和1μs的1.5毫安（典型值）
•简单的存储控制
双芯片使（ CE1和CE2 ）
字节控制独立字节操作
输出使能（ OE ）的内存扩展
- 低电压数据保留
VCC = 1.5V
•非常快的输出使能存取时间
25ns的OE访问时间
•自动关机进入待机模式
• TTL兼容的三态输出驱动器
•超低功耗排序可用
产品系列
产品型号
套餐类型
操作
温度
-40
o
C至+ 85
o
C
动力
速度
电源（VCC ）
2.2V - 3.6V
55ns
待机
目前的工作电流
(I
SB
),
（ ICC） ，典型
典型
2
µA
1.5毫安@ 1MHz的
N08L083WC2CT1 44 TSOP II无铅
引脚配置
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
DNU
DNU
I / O
0
I / O
1
VCC
VSS
I / O
2
I / O
3
DNU
DNU
WE
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
针
一
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
CE2
A8
DNU
DNU
I / O
7
I / O
6
VSS
VCC
I / O
5
I / O
4
DNU
DNU
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
引脚说明
引脚名称
A
0
-A
19
WE
CE1 ， CE2
OE
I / O
0
-I / O
7
V
CC
V
SS
NC
引脚功能
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
输出使能输入
数据输入/输出
动力
地
没有连接
库存号23379 -A
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
N08L083WC2C
TSOP - II
1
NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
