纳安解决方案公司
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N08L163WC1C
超前信息
8MB超低功耗异步SRAM CMOS
512K × 16位
概观
该N08L163WC1C是一个集成的内存
含有8兆位静态随机存取装置
内存16位组织为524,288字。
该设备设计和制造使用
纳安先进的CMOS技术
同时提供的高速性能和超低
力。字节控制（ UB和LB ）使上
字节和低字节被独立地访问和
也可以使用以取消选择该设备。该
N08L163WC1C最适合各种应用
其中，低功耗是作为备用电池等关键
和手持设备。该装置可进行操作
在-40一个很宽的温度范围
o
C到
+85
o
C和在JEDEC标准可用
包装与其它标准512KB X兼容
16的SRAM
特点
•单宽电源电压范围
2.2至3.6伏特
- 极低的待机电流
2.0μA在3.0V （典型值）
•极低的工作电流
在3.0V和1μs的1.5毫安（典型值）
•简单的存储控制
字节控制独立字节操作
输出使能（ OE ）的内存扩展
- 低电压数据保留
VCC = 1.5V
•非常快的输出使能存取时间
25ns的OE访问时间
•自动关机进入待机模式
• TTL兼容的三态输出驱动器
•超低功耗排序热推
产品系列
产品型号
套餐类型
操作
温度
动力
电源（VCC ）
2.2V - 3.6V
速度
待机
目前的工作电流
(I
SB
),
（ ICC） ，典型
典型
2
µA
1.5毫安@ 1MHz的
N08L163WC1CT1 44 - TSOP II无铅-40
o
C至+ 85
o
C
55ns
引脚配置
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
VCC
VSS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
针
一
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
UB
LB
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
VSS
VCC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
引脚说明
引脚名称
A
0
-A
18
WE
CE
OE
LB
UB
I / O
0
-I / O
15
V
CC
V
SS
NC
引脚功能
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
输出使能输入
低字节使能输入
高字节使能输入
数据输入/输出
动力
地
没有连接
库存号23394 -B 01/05
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
N08L163WC1C
TSOP - II
1
NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
