纳安解决方案公司
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N08L163WC2C
超前信息
8MB超低功耗异步SRAM CMOS
512K × 16位
概观
该N08L163WC2C是一个集成的内存
含有8兆位静态随机存取装置
内存16位组织为524,288字。
该设备设计和制造使用
纳安先进的CMOS技术
同时提供的高速性能和超低
力。该器件采用双芯片使能
（ CE1和CE2 ）控制和输出使能（ OE ）来
使其易于扩展内存。控制字节
（ UB和LB ）允许上部和下部字节是
独立地访问，并也可用于
取消选择该设备。该N08L163WC2C是最佳
用于各种应用，其中的低功耗是关键
如备用电池和手持设备。
该设备可以在非常宽的操作
温度范围-40
o
C至+ 85
o
C和是
在兼容JEDEC标准封装
与其他标准的512KB ×16的SRAM
特点
•单宽电源电压范围
2.2至3.6伏特
- 极低的待机电流
2.0μA在3.0V （典型值）
•极低的工作电流
在3.0V和1μs的1.5毫安（典型值）
•简单的存储控制
双芯片使（ CE1和CE2 ）
字节控制独立字节操作
输出使能（ OE ）的内存扩展
- 低电压数据保留
VCC = 1.5V
•非常快的输出使能存取时间
25ns的OE访问时间
•自动关机进入待机模式
• TTL兼容的三态输出驱动器
•超低功耗排序可用
产品系列
产品型号
套餐类型
操作
温度
-40
o
C至+ 85
o
C
动力
电源（VCC ）
2.2V - 3.6V
速度
待机
目前的工作电流
(I
SB
),
（ ICC） ，典型
典型
2
µA
1.5毫安@ 1MHz的
N08L163WC2CZ1
VFBGA无铅
55ns
引脚配置
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
引脚说明
3
A
0
A
3
A
5
A
17
2
OE
UB
I / O
10
I / O
11
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE2
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
引脚名称
A
0
-A
18
WE
CE1 ， CE2
OE
LB
UB
I / O
0
-I / O
15
V
CC
V
SS
NC
引脚功能
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
输出使能输入
低字节使能输入
高字节使能输入
数据输入/输出
动力
地
没有连接
I / O
12
DNU
A
14
A
12
A
9
I / O
14
I / O
13
I / O
15
A
18
NC
A
8
48引脚VFBGA （上）
6毫米x 8毫米
库存号23380 -C
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
1
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