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N08M163WL1A 参数 Datasheet PDF下载

N08M163WL1A图片预览
型号: N08M163WL1A
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内容描述: 8MB超低功耗异步医疗CMOS SRAM 512Kx16位 [8Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 512Kx16 bit]
分类和应用: 医疗静态存储器
文件页数/大小: 8 页 / 235 K
品牌: NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
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纳安解决方案公司
670北麦卡锡大道。套件220 ,加利福尼亚州米尔皮塔斯95035
电话: 408-935-7777 ,传真: 408-935-7770
www.nanoamp.com
N08M163WL1A
8MB超低功耗异步医疗CMOS SRAM
512Kx16位
概观
该N08M163WL1A是一个集成的内存
设备
用于非生命支持( 1级或
2 )医疗应用。
该设备是4
兆内存组织为524,288字经
16位。该设备的设计和制造
使用纳安先进的CMOS技术
与可靠性inhancements医疗用户。该
底座设计是一样的纳安的
N08M1618L2A ,其具有进一步的可靠性
处理生命支持( 3级)医疗
应用程序。该器件采用双芯片
使能( CE1和CE2 )控制和输出使能
(OE) ,以允许容易地扩展内存。字节
对照组( UB和LB )允许上部和下部
字节被独立地访问和也可以
可用于取消该设备。该装置是
最适合于各种应用,其中低功率是
如备用电池和手持临界
设备。该设备可以在非常宽的操作
温度范围-40
o
C至+ 85
o
C和是
在JEDEC标准的BGA封装
特点
•单宽电源电压范围
2.3至3.6伏特
- 极低的待机电流
4.0μA在3.0V (典型值)
•极低的工作电流
在3.0V和1μs的2.0毫安(典型值)
•非常低的页面模式工作电流
在3.0V和1μs的1.0毫安(典型值)
•简单的存储控制
双芯片使( CE1和CE2 )
字节控制独立字节操作
输出使能( OE )的内存扩展
- 低电压数据保留
VCC = 1.8V
•特殊处理的软错误率( SER )
减少
•自动关机进入待机模式
•紧凑节省空间的BGA封装可用
ABLE
产品系列
产品型号
N08M163WL1AB
套餐类型
48 - BGA
操作
温度
-40
o
C至+ 85
o
C
动力
电源(VCC )
2.3V - 3.6V
速度
为70ns @ 2.7V
为100ns @ 2.3V
待机
操作
电流(I
SB
) ,电流( Icc的) ,
最大
最大
20
µA
3毫安@ 1MHz的
N08M163WL1AD已知合格芯片
销刀豆网络gurations
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
引脚说明
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
2
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
5
A
2
CE1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE2
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
引脚名称
A
0
-A
18
WE
CE1 , CE2
OE
LB
UB
I / O
0
-I / O
15
V
CC
V
SS
NC
引脚功能
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
输出使能输入
低字节使能输入
高字节使能输入
数据输入/输出
动力
没有连接
I / O
14
I / O
13
I / O
15
A
18
NC
A
8
48引脚BGA (上)
8 ×10mm的
库存号23319-01 02年11月1日
此设备的规格如有变更,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.nanoamp.com 。
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