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    N08T1630C2BT2-70 参数 Datasheet PDF下载

    N08T1630C2BT2-70图片预览
    型号： N08T1630C2BT2-70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位 [8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 254 K
    品牌： NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
     浏览型号N08T1630C2BT2-70的Datasheet PDF文件第1页浏览型号N08T1630C2BT2-70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号N08T1630C2BT2-70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号N08T1630C2BT2-70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号N08T1630C2BT2-70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号N08T1630C2BT2-70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号N08T1630C2BT2-70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号N08T1630C2BT2-70的Datasheet PDF文件第9页  
    纳安解决方案公司
    N08T1630CxB
    定时
    项
    读周期时间
    地址访问时间
    芯片使能到输出有效
    输出使能到输出有效
    字节选择有效输出
    芯片使能为低阻抗输出
    输出使能为低阻抗输出
    字节选择低阻抗输出
    芯片禁用到高阻输出
    输出禁止到高阻输出
    字节选择Disable输出高阻态
    从地址变更输出保持
    写周期时间
    芯片使能写操作的结束
    地址有效到写结束
    字节选择要写入的结束
    把脉冲宽度
    地址建立时间
    写恢复时间
    写入输出高阻态
    数据写入时间重叠
    从时间写数据保持
    结束写入低-Z输出
    符号
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    HZ
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    OH
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    CW
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    BW
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    AS
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    OW
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    单位
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    （ DOC ＃ 14-02-004 REV ħ ECN ＃ 01-1102 ）
    此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
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