N16D1618LPA
纳安解决方案公司
功能说明
在一般情况下，这16兆SDRAM（ 512K X 16位X 2banks ）是一种双组的DRAM工作在1.8V ，并且包括
同步接口（所有信号记录在时钟信号CLK的上升沿） 。每个8,388,608-
位银行的组织结构2048行，256列16位。读取和写入访问到SDRAM是迸发
导向;存取开始在一个选定的位置，并继续进行的地点在一个编程的编程数
序列。访问开始以积极的命令的登记，然后接着读或写
命令。注册与激活指令的地址位用来选择银行和行
被访问（ A11选择了银行， A0- A10选择行） 。地址位（ A11选择了银行， A0 -A7选择
列）注册暗合了读或写命令用于选择起始列位置
突发的访问。之前的正常运行中，SDRAM必须被初始化。以下部分提供了详细的
信息包括设备初始化，寄存器定义，命令描述和设备操作。
超前信息
电源和初始化
SDRAM芯片必须被加电并以预定的方式进行初始化。比其他的操作流程
规定可能会导致不确定的操作。一旦电源被施加到VDD和VDDQ （同时）和时钟是
稳定（稳定的时钟被定义为内部的时钟引脚指定时序约束的信号循环） ，在SDRAM
需要事先向发卡不是一个命令抑制或NOP以外的任何命令100μs的延迟。 CKE必须保持
在整个初始化期间，直到充值命令高已经发出。开始在某点
在此100μs的周期和持续至少在此期间，命令抑制或NOP的结束
命令应该被应用。一旦100μs的延迟已经满足与至少一个指挥INHIBIT或NOP指令
已经被施加命令，预充电命令应该被应用。所有银行必须再进行预充电，
从而将所述设备中的所有银行空闲状态。
一旦处于空闲状态时， 2自动刷新周期必须被执行。之后自动刷新周期
完成后， SDRAM已经准备好模式寄存器编程。因为该模式寄存器将在一个通电
未知状态，则应该先在应用的任何作战指挥加载。和扩展模式寄存器设置
命令发出编程的自刷新操作（ PASR ）的具体模式。下面的这些周期中，低
功耗SDRAM可以正常运行。
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模式寄存器
模式寄存器是用来定义对SDRAM的操作的具体模式。这个定义包括选择
的一个突发长度，突发类型， CAS延迟时间，操作方式和写脉冲串模式。该模式寄存器
通过加载模式寄存器命令编程，将保留所存储的信息，直到其被编程
又或设备断电。模式寄存器位M0 -M2指定突发长度， M3指定突发的类型
（顺序或交织） ，M4 〜M6指定CAS延迟， M7和M8中指定的操作模式， M9的指定
写突发模式和M10应当设置为零。 M11应该被设置为零，以防止扩展模式寄存器。该
模式寄存器必须被加载时，所有银行都闲着，控制器必须等待指定的时间开始之前
随后的操作。违反任一需求，将导致不确定的操作。
扩展模式寄存器
在扩展模式寄存器控制范围之外的模式寄存器控制的功能。这些附加
功能特色的BATRAM设备。它们包括温度补偿自刷新（ TCSR ）
控制和局部阵列自刷新（ PASR ）和驱动强度（ DS ） 。在扩展模式寄存器进行编程
通过模式寄存器设置命令（A11 = 1） ，并保留所存储的信息，直到它被重新编程或
设备断电。在扩展模式寄存器必须被编程以E7至E10设置为“0”。扩展
模式寄存器必须被加载时，所有银行都闲置，无突发正在进行中，控制器必须等待
启动任何后续操作之前，之前指定的时间。违反任一需求导致
未指定的操作。
库存号23395-冯L 1/06
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
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