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    N16D1618LPAZ2-75I 参数 Datasheet PDF下载

    N16D1618LPAZ2-75I图片预览
    型号： N16D1618LPAZ2-75I
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512K × 16位× 2 ，银行的低功耗同步DRAM [512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronous DRAM]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 27 页 / 671 K
    品牌： NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
     浏览型号N16D1618LPAZ2-75I的Datasheet PDF文件第1页浏览型号N16D1618LPAZ2-75I的Datasheet PDF文件第2页浏览型号N16D1618LPAZ2-75I的Datasheet PDF文件第3页浏览型号N16D1618LPAZ2-75I的Datasheet PDF文件第4页浏览型号N16D1618LPAZ2-75I的Datasheet PDF文件第6页浏览型号N16D1618LPAZ2-75I的Datasheet PDF文件第7页浏览型号N16D1618LPAZ2-75I的Datasheet PDF文件第8页浏览型号N16D1618LPAZ2-75I的Datasheet PDF文件第9页  
    N16D1618LPA
    纳安解决方案公司
    超前信息
    表2 ：引脚说明
    针
    CLK
    CKE
    / CS
    A11
    A0~A10
    引脚名称
    系统时钟
    时钟使能
    芯片选择
    银行地址
    地址
    行地址选通，
    列地址选通，
    写使能
    数据输入/输出面膜
    数据输入/输出
    电源/接地
    数据输出电源/接地
    无连接
    说明
    系统时钟输入。所有其它输入都被注册到
    的SDRAM在CLK的上升沿
    控制内部时钟信号和去激活时，该
    SDRAM将跻身权力的国家之一了，暂停
    或自我刷新。
    启用或禁用除CLK ， CKE和DQM所有输入
    选择银行时/ RAS活性被激活
    选择银行进行读/中/ CAS活动写
    行地址： RA0 〜 RA10
    列地址： CA0 〜 CA7
    自动预充电： A10
    / RAS ， / CAS和/ WE定义操作
    请参阅功能真值表细节
    控制输出缓冲器中读取模式和口罩的输入数据
    写模式
    复用的数据输入/输出引脚
    电源为内部电路和输入缓冲器
    电源，输出缓冲器
    无连接
    / RAS ， / CAS ， / WE
    LDQM / UDQM
    DQ0~DQ15
    VDD / VSS
    VDDQ / VSSQ
    NC
    库存号23395-冯L 1/06
    此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
    5

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