纳安解决方案公司
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N16L163WC2C
超前信息
16Mb的超低功耗异步SRAM CMOS
1024K × 16位
概观
该N16L163WC2C是一个集成的内存
含有8Mbit的静态随机存取装置
内存16位组织为1,048,576字。
该设备设计和制造使用
纳安先进的CMOS技术
同时提供的高速性能和超低
力。该器件采用双芯片使能
（ CE1和CE2 ）控制和输出使能（ OE ）来
使其易于扩展内存。控制字节
（ UB和LB ）允许上部和下部字节是
独立地访问，并也可用于
取消选择该设备。该N16L163WC2C是最佳
用于各种应用，其中的低功耗是关键
如备用电池和手持设备。
该设备可以在非常宽的操作
温度范围-40
o
C至+ 85
o
C和是
在兼容JEDEC标准封装
与其他标准1024KB ×16的SRAM
特点
•单宽电源电压范围
2.2至3.6伏特
- 极低的待机电流
2.5μA在3.0V （典型值）
•极低的工作电流
在3.0V和1μs的2.0毫安（典型值）
•简单的存储控制
双芯片使（ CE1和CE2 ）
字节控制独立字节操作
输出使能（ OE ）的内存扩展
- 低电压数据保留
VCC = 1.5V
•非常快的输出使能存取时间
25ns的OE访问时间
•自动关机进入待机模式
• TTL兼容的三态输出驱动器
•超低功耗排序可用
产品系列
产品型号
套餐类型
操作
温度
动力
速度
电源（VCC ）
待机
目前的工作电流
(I
SB
),
（ ICC） ，典型
典型
2.5
µA
2毫安@ 1MHz的
N16L163WC2CT1
N16L163WC2CZ1
48 TSOP I无铅
VFBGA无铅
-40
o
C至+ 85
o
C
2.2V - 3.6V
55ns
库存号23383 -C
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
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