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N16T1630C2B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: N16T1630C2B
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内容描述: 16Mb的超低功耗异步SRAM CMOS [16Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 239 K
品牌: NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
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纳安解决方案公司
1982年Zanker路,圣何塞,加利福尼亚95112
电话: 408-573-8878 ,传真: 408-573-8877
www.nanoamp.com
N16T1630C2B
16Mb的超低功耗异步SRAM CMOS
1M ×16位
概观
该N16T1630C2B是一个集成的内存
器件包含一个低功耗的16兆位的SRAM构建
使用组织为自刷新DRAM阵列
1024576字由16位。它被设计成
在操作和接口的标准6T相同
SRAMS 。该设备是专为低待机
和工作电流,并且包括一个掉电
功能自动进入待机模式。该
器件具有两个芯片使能操作( CE1和
CE2 )控制和输出使能(OE ) ,以允许
简单的内存扩展。字节控制( UB和
LB)允许上部和下部字节是
独立地访问,并也可用于
取消选择该设备。该N16T1630C2B是最佳
用于各种应用,其中的低功耗是关键
如备用电池和手持设备。
该设备可以在非常宽的操作
温度范围-40
o
C至+ 85
o
C和是
在JEDEC标准的BGA封装
与其它标准兼容的1Mb ×16的SRAM 。
特点
•单宽电源电压范围
2.7到3.6伏
- 极低的待机电流
100μA ,在3.0V (最大)
•极低的工作电流
在3.0V和1μs的2.0毫安(典型值)
•简单的存储控制
双芯片使( CE1和CE2 )
字节控制独立字节操作
输出使能( OE )的内存扩展
•非常快的访问时间
55ns地址访问选项
OE为35ns存取时间
•自动关机进入待机模式
• TTL兼容的三态输出驱动器
•针对BGA封装选项绿色
产品系列
产品型号
N16T1630C2BZ
TYPE
48 - BGA
操作
温度
-40
o
C至+ 85
o
C
动力
电源(VCC )
2.7V - 3.6V
速度
70ns
55ns
待机
操作
电流(I
SB
) ,电流( Icc的) ,
最大
马克斯@ 3.0V
100
µA
3毫安@ 1MHz的
N16T1630C2BZ2绿48 - BGA
引脚配置(顶视图)
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
引脚说明
引脚名称
A
0
-A
19
WE
CE1 , CE2
OE
LB
UB
I / O
0
-I / O
15
V
CC
V
SS
NC
引脚功能
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
输出使能输入
低字节使能输入
高字节使能输入
数据输入/输出
动力
没有连接
2
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE2
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
I / O
14
I / O
13
I / O
15
A
18
A
19
A
8
48球BGA
6毫米x 8毫米
( DOC # 14-02-007 F版ECN # 01-1103 )
此设备的规格如有变更,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.nanoamp.com 。
1