纳安解决方案公司
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N32T1630C1C
32MB超低功耗CMOS异步SRAM伪
W /页模式操作（ 2M ×16位）
概观
该N32T1630C1C是一个集成的内存
使用内置含有32兆位的SRAM器件
自刷新DRAM阵列组织为2097152
字由16位。本设备被设计和
使用纳安先进的CMOS制造
技术，以提供高速
性能和超低功耗。它被设计成
在操作和接口的标准相同
6T SRAMS 。字节控制（ UB和LB ）允许
上部和下部的字节将被访问
独立地，也可以用来取消
该设备。该N32T1630C1C提供了一个非常高的
为提高速度页面模式操作
性能和运行功耗。该
装置最适合于各种应用，其中
低功耗是关键的，例如备用电池和
手持设备。此外，还包括几
省电模式：深度睡眠模式，
其中，数据被保持在部分阵列刷新模式
该阵列的一部分。该装置可工作在
-25一个很宽的温度范围
o
C至+ 85
o
C
并且是在一个JEDEC标准VFRBGA可用
包装与其它标准的2Mb ×16兼容
的SRAM 。
特点
•双电压为获得最佳性能：
VCCQ - 2.7至3.6伏特
VCC - 2.7至3.6伏特（VCC
≤
VCCQ ）
•快速随机存取时间
在为70ns 2.7V
•非常快页模式存取时间
25ns的页面周期和访问
- 极低的待机电流
80μA V（典型值）
•极低的工作电流
在1μs的1.0毫安（典型值）
•简单的存储控制
字节控制独立字节操作
输出使能（ OE ）的内存扩展
•自动关机进入待机模式
• PAR和RMS省电模式
•深度休眠选项
• TTL兼容的三态输出驱动器
产品系列
产品型号
包
TYPE
操作
温度
动力
供应
2.7V - 3.6V (V
CC
)
速度
70ns
待机
电流（I
SB
),
最大
操作
电流（ Icc的） ，
最大
N32T1630C1CZ 48 VFRBGA -25
o
C至+ 85
o
C
135
µA
@ 3.3V 3毫安@ 1MHz的
引脚配置（顶视图）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
引脚说明
引脚名称
A
0
-A
20
WE
CE
OE
UB ， LB
ZZ
I / O
0
-I / O
15
V
CC
V
CCQ
V
SS
V
SSQ
DNU
引脚功能
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
输出使能输入
字节使能输入
深度睡眠输入
数据输入/输出
核心动力
I / O电源
地
I / O接地
不要使用
2
OE
UB
I / O
10
3
A
0
A
3
A
5
A
17
DNU /
VSS
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
ZZ
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
A
20
V
SSQ
I / O
11
V
CCQ
I / O
12
I / O
14
I / O
13
I / O
15
A
18
A
19
A
8
48球VFRBGA
6毫米x 8毫米
（ DOC ＃ 14-02-005版本C ECN 01-0918 ）
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
1
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